HUASHUO

HSP80P10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>80A</SPAN> 功率(Pd)：210W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,30A

HSBG2103
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：650mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：520mΩ@4.5V,650mA

HSU6115
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P-Ch 60V快速开关MOSFET
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 功率耗散: 52.1W 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 阈值电压Vgs(th): -2.5V 连续漏极电流Id@25℃: 35A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: -60V 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 25nC 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 高度: 2.40mm 引脚数: 3Pin

HSM1564
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,8A

HSP6048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：255W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA

HSW6811
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250μA

HSP0076A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：308A 功率(Pd)：429W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,30A

HSBA3016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：108A 功率(Pd)：69W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,30A

HSCB1216
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：2.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

HSU6040
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：112A 功率(Pd)：104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA