HUASHUO

HSS2310A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：511pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：25pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HSM6056
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.27nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：40pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HSM4006
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSH6115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>45A</SPAN> 功率(Pd)：86.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,18A

HSBA4006
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSL0004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：112mΩ@10V,2A

HSP120N08
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,50A

HSP8N50
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：142W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

HSS2301B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSW8810
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA