HSM6056
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.27nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：40pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)