HUASHUO

HSP0018A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：58A 功率(Pd)：149W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

HSP150N15
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HSS2012
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.8A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSW4602
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道

HSM6115
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：5W
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 功率耗散: 5.2W 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 阈值电压Vgs(th): 2.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 11A 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 25nC 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.75mm 晶体管类型: P沟道

HSS3416E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA

HSL0107
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：520mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：4.5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：553pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：20pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HSP15810C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HSU100P03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：105W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSO8205
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)