HUASHUO

HSP6016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：86.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSU3018B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,30A

HSM4052
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

IRLML0060
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,2A

HSU6901
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道

HSSN3134
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA

HSU4903
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：23A；20A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,12A；45mΩ@10V,8A

HSBA6048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6mΩ@10V,20A

HSM0048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：13.5A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13.5A

HSP6113
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.8nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：50pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)