HSM4006
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA