VBSEMI
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NTGS3443T1G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: SOT23-6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: SOT23-6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
AP2625GY
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 封装/外壳: TSOP6 反向传输电容Crss: 33pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.2nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 封装/外壳: TSOP6 反向传输电容Crss: 33pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.2nC 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
VBA2333
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 极性: P-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 56mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 30V FET类型: P-Channel 封装/外壳: SOIC8_150MIL 配置: Single 最小包装: 4000pcs 功率(Max): 1300mW 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻Rds On(Max): 56mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 极性: P-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 56mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 30V FET类型: P-Channel 封装/外壳: SOIC8_150MIL 配置: Single 最小包装: 4000pcs 功率(Max): 1300mW 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻Rds On(Max): 56mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
FDN338P-NL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 输入电容: 835pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 输入电容: 835pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer
HM3400PR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.8A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 33nC 零件状态: Active 高度: 1.60mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.8A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 33nC 零件状态: Active 高度: 1.60mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
AO5404E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=700mA RDS(ON)=270mΩ@4.5V SC75A
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 700mA 封装/外壳: SOT-416 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 11pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.4nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 270mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 栅极电荷(Qg): 4.1nC 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=700mA RDS(ON)=270mΩ@4.5V SC75A
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 700mA 封装/外壳: SOT-416 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 11pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.4nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 270mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 栅极电荷(Qg): 4.1nC 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
LR024N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.1W 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 16.9A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.73 x 6.22mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 30nC 高度: 2.38mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.1W 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 16.9A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.73 x 6.22mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 30nC 高度: 2.38mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
VBA1410
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10.4A FET类型: N-Channel 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 150pF 充电电量: 33nC 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 2000pF 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 功率(Max): 6W 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻Rds On(Max): 12mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10.4A FET类型: N-Channel 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 150pF 充电电量: 33nC 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 2000pF 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 功率(Max): 6W 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻Rds On(Max): 12mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active
MT4606
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 阈值电压: - 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 63nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 阈值电压: - 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 63nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
2SK1590
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 300mW 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 250mA 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.1Ω 输入电容: 25pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 0.6nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 300mW 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 250mA 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.1Ω 输入电容: 25pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 0.6nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin