HM3400PR

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
击穿电压:30V
阈值电压:1.5V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:6.8A
长x宽/尺寸:4.60 x 2.60mm
封装/外壳:SOT89-3
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):22mΩ
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):33nC
零件状态:Active
高度:1.60mm
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin