VBSEMI
商品列表
AO4404
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOP-8
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOP-8
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 8Pin
MEM2302
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
HAT2029R
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.78W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3.7nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 26mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 586pF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.78W 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3.7nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 26mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 586pF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: 2个N沟道(双)
AP2301N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道
SI2310
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 86mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 180pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 86mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 180pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NDS331N-NL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 28mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
STS2305A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: P沟道
AO6801A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.14W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.14W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP6 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
VBA1615
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
安装类型: SMT 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A 漏源导通电阻 RDS(on): 15mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 60V FET类型: N-Channel 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 充电电量: 21nC 配置: Single 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 功率(Max): 5W（TC） 导通电阻Rds On(Max): 15mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
安装类型: SMT 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A 漏源导通电阻 RDS(on): 15mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 60V FET类型: N-Channel 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 充电电量: 21nC 配置: Single 原产国家: China Taiwan 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 功率(Max): 5W（TC） 导通电阻Rds On(Max): 15mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 引脚数: 8Pin
NCE3404
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道