AP2625GY

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:20V
阈值电压:2V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.6A
封装/外壳:TSOP6
反向传输电容Crss:33pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:5.2nC
配置:双路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):75mΩ
原产国家:China Taiwan
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):8nC
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0