LR024N

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:2.1W
击穿电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:16.9A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:6.73 x 6.22mm
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):30nC
高度:2.38mm
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin