ALLPOWER
商品列表
AP90P03Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:60A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 48W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): -1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 60A 漏源击穿电压BVDSS: -30V 封装/外壳: PDFN8L_3X3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 493pF 输入电容Ciss: 4.32nF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.8mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 45nC 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:60A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 48W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): -1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 60A 漏源击穿电压BVDSS: -30V 封装/外壳: PDFN8L_3X3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 493pF 输入电容Ciss: 4.32nF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.8mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 45nC 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
AP4438
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT89 VDS=30V VGS=±12V ID=11.8A
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 2.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11.8A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89 反向传输电容Crss: 105pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 18mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16.8nC 高度: 1.60mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT89 VDS=30V VGS=±12V ID=11.8A
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 2.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11.8A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89 反向传输电容Crss: 105pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 18mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16.8nC 高度: 1.60mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP3003
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A 电流:3.7A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A；3.7A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.2W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.3V 连续漏极电流Id@25℃: 4.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 33V 封装/外壳: SOT23-6L 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 210pF 反向传输电容Crss: 23pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 5nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A 电流:3.7A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A；3.7A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.2W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.3V 连续漏极电流Id@25℃: 4.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 33V 封装/外壳: SOT23-6L 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 210pF 反向传输电容Crss: 23pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 5nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
AP3908QD
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 21W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 20A 极性: N-沟道,P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 19nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 高度: 0.78mm
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 21W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 20A 极性: N-沟道,P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 19nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 高度: 0.78mm
AP6800
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT-23-6 Dual N-Channel
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.5V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 823pF 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 1.25mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT-23-6 Dual N-Channel
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.5V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 823pF 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 1.25mm 零件状态: Active
AP9926
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 2W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 漏极电流: 6.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 34mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 2W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 漏极电流: 6.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 34mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双)
AP2317A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):550mV@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): -1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: -20V 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 19.5nC 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 高度: 1.30mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 耐压:20V 电流:6A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):550mV@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): -1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: -20V 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 19.5nC 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 高度: 1.30mm
AP2316
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 0.9V@250µA 额定功率: 1.25W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 245pF 工作温度: +150℃ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 4.8nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 0.9V@250µA 额定功率: 1.25W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 245pF 工作温度: +150℃ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 4.8nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP15N10K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 2.9V@250µA FET类型: N沟道 原产国家: China 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流Id@25℃: 14.6A 导通电阻Rds On(Max): 110mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 11.9nC 输入电容(Ciss)(Max): 450pF 功率(Max): 30W 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: TO-252
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 2.9V@250µA FET类型: N沟道 原产国家: China 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流Id@25℃: 14.6A 导通电阻Rds On(Max): 110mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 11.9nC 输入电容(Ciss)(Max): 450pF 功率(Max): 30W 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: TO-252