AP3908QD
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | ALLPOWER |
| 功率耗散: | 21W |
| 原始制造商: | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. |
| 阈值电压Vgs(th): | 1.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 20A |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 30V |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | DFN8_3.3X3.3MM |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 8.5mΩ |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 19nC |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 0.78mm |