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AP3404S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:6.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:6.5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
AP2716SD
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@4.5V,20A MOSFET类型 N+P 漏源电压(Vdss) (V) -40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 44/54 连续漏极电流ID (A) 10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@4.5V,20A MOSFET类型 N+P 漏源电压(Vdss) (V) -40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 44/54 连续漏极电流ID (A) 10
AP30H150KA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:150A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:150A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
AP4435
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10.5A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@20V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10.5A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@20V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA P沟道
BR4407
供应商: Anychip Mall
分类: BR4407
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-12A
供应商: Anychip Mall
分类: BR4407
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-12A
AP3407S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA