AP3003

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ALLPOWER
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A 电流:3.7A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A;3.7A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:1.2W
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
阈值电压Vgs(th):1.3V
连续漏极电流Id@25℃:4.2A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
漏源击穿电压BVDSS:33V
封装/外壳:SOT23-6L
元件生命周期:Active
输入电容Ciss:210pF
反向传输电容Crss:23pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:双路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):19mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):5nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
零件状态:Active