AP2316

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.25W
阈值电压:0.9V@250µA
额定功率:1.25W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23
元件生命周期:Active
输入电容Ciss:245pF
工作温度:+150℃
原产国家:China
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):4.8nC
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin