NEXPERIA(安世)
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BSS84AK,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
漏源电压（Vdss）: 50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 180mA 栅源极阈值电压: 2.1V @ 250uA 漏源导通电阻: 7.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .35nC @ 5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 36pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta），1.14W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
漏源电压（Vdss）: 50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 180mA 栅源极阈值电压: 2.1V @ 250uA 漏源导通电阻: 7.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .35nC @ 5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 36pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta），1.14W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSH103,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 850mA(Ts=80°C) 栅源极阈值电压: 400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻: 500mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 500mW(Ts=80°C) 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 850mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 400mV @ 1mA（最小） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 83pF @ 24V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 540mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 850mA(Ts=80°C) 栅源极阈值电压: 400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻: 500mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 500mW(Ts=80°C) 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 850mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 400mV @ 1mA（最小） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 83pF @ 24V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 540mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS84AKW,115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-50V-150mA（Ta）-260mW（Ta）-830mW（Tc）-SOT-323
漏源电压（Vdss）: 50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 150mA 栅源极阈值电压: 2.1V @ 250uA 漏源导通电阻: 7.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 260mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .35nC @ 5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 36pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 260mW（Ta），830mW（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-50V-150mA（Ta）-260mW（Ta）-830mW（Tc）-SOT-323
漏源电压（Vdss）: 50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 150mA 栅源极阈值电压: 2.1V @ 250uA 漏源导通电阻: 7.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 260mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .35nC @ 5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 36pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 260mW（Ta），830mW（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70，SOT-323
BSH105,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-20V-1.05A（Ta）-417mW（Ta）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.05A 栅源极阈值电压: 570mV @ 1mA 漏源导通电阻: 200mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 417mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.05A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 570mV @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 152pF @ 16V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 417mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-20V-1.05A（Ta）-417mW（Ta）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.05A 栅源极阈值电压: 570mV @ 1mA 漏源导通电阻: 200mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 417mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.05A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 570mV @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 152pF @ 16V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 417mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PMF170XP,115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-20V-1A（Ta）-290mW（Ta）-1.67W（Tc）-SOT-323
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1A 栅源极阈值电压: 1.15V @ 250uA 漏源导通电阻: 200mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 290mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.15V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 280pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 290mW（Ta），1.67W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-20V-1A（Ta）-290mW（Ta）-1.67W（Tc）-SOT-323
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1A 栅源极阈值电压: 1.15V @ 250uA 漏源导通电阻: 200mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 290mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.15V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 280pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 290mW（Ta），1.67W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70，SOT-323
PMV65XP,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2.8A 栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA 漏源导通电阻: 74mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 480mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 74 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 744pF @ 20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2.8A 栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA 漏源导通电阻: 74mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 480mW 类型: P沟道 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 74 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 744pF @ 20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PMPB11EN,115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20.6nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 840pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN2020MD-6 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20.6nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 840pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN2020MD-6 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
2N7002P,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-360mA（Ta）-350mW（Ta）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 360mA 栅源极阈值电压: 2.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW 类型: N沟道 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA FET 类型: N 通道 Vgs（最大值）: ±20V 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V FET 功能: - 技术: MOSFET（金属氧化物） 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF @ 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 安装类型: 表面贴装型 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .8nC @ 4.5V 漏源电压（Vdss）: 60V FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .8nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-360mA（Ta）-350mW（Ta）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 360mA 栅源极阈值电压: 2.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW 类型: N沟道 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA FET 类型: N 通道 Vgs（最大值）: ±20V 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V FET 功能: - 技术: MOSFET（金属氧化物） 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF @ 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 安装类型: 表面贴装型 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .8nC @ 4.5V 漏源电压（Vdss）: 60V FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .8nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS84AKM,315
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .35nC @ 5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 36pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 340mW（Ta），2.7W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN1006-3 封装/外壳: SC-101，SOT-883
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .35nC @ 5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 36pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 340mW（Ta），2.7W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN1006-3 封装/外壳: SC-101，SOT-883
PSMN2R6-40YS,115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-40V-100A（Tc）-131W（Tc）-LFPAK56-Power-SO8
漏源电压（Vdss）: 40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A(Tc) 栅源极阈值电压: 4V @ 1mA 漏源导通电阻: 2.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 131W(Tc) 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 63nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3776pF @ 12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 131W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳: SC-100，SOT-669
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-40V-100A（Tc）-131W（Tc）-LFPAK56-Power-SO8
漏源电压（Vdss）: 40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A(Tc) 栅源极阈值电压: 4V @ 1mA 漏源导通电阻: 2.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 131W(Tc) 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 63nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3776pF @ 12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 131W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳: SC-100，SOT-669