NEXPERIA(安世)
商品列表
PCF8576CT
供应商: Anychip Mall
分类: LCD驱动
商品名称: PCF8576CT/1,518 编带 封装规格: VSO-56 品 牌: Nexperia(安世) 国际品牌 商品编号: C31864 商品毛重: 0.000300 KG
供应商: Anychip Mall
分类: LCD驱动
商品名称: PCF8576CT/1,518 编带 封装规格: VSO-56 品 牌: Nexperia(安世) 国际品牌 商品编号: C31864 商品毛重: 0.000300 KG
74LVC2GU04GV-Q100
供应商: Anychip Mall
分类: 无
商品名称: 74LVC2GU04GV-Q100 编带 封装规格: SOT457 SC-74 商品编号: C73152 商品毛重: 0.000300 KG
供应商: Anychip Mall
分类: 无
商品名称: 74LVC2GU04GV-Q100 编带 封装规格: SOT457 SC-74 商品编号: C73152 商品毛重: 0.000300 KG
2N7002,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-300mA（Ta）-830mW（Ta）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 300mA 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 830mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 830mW（Ta） 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-300mA（Ta）-830mW（Ta）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 300mA 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 830mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 830mW（Ta） 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138PW,115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-320mA（Ta）-260mW（Ta）-830mW（Tc）-SOT-323
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 320mA 栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 1.6Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 260mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 @ 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .8nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 260mW（Ta），830mW（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-320mA（Ta）-260mW（Ta）-830mW（Tc）-SOT-323
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 320mA 栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 1.6Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 260mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 @ 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .8nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 260mW（Ta），830mW（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70，SOT-323
BSH108,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-30V-1.9A（Tc）-830mW（Tc）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.9A(Tsp) 漏源导通电阻: 120mΩ @ 1A,10V 栅源极阈值电压: 2V @ 1mA 最大功率耗散（Ta=25°C）: 830mW(Tsp) 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.9A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 120 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 190pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 830mW（Tc） 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-30V-1.9A（Tc）-830mW（Tc）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.9A(Tsp) 漏源导通电阻: 120mΩ @ 1A,10V 栅源极阈值电压: 2V @ 1mA 最大功率耗散（Ta=25°C）: 830mW(Tsp) 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.9A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 120 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 190pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 830mW（Tc） 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
NX7002AK,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-190mA（Ta）-265mW（Ta）-1.33W（Tc）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 190mA 栅源极阈值电压: 2.1V @ 250uA 漏源导通电阻: 4.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 265mW 类型: N沟道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） FET 功能: - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .43nC @ 4.5V FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 功率耗散（最大值）: 265mW（Ta），1.33W（Tc） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17pF @ 10V FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .43nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 265mW（Ta），1.33W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-190mA（Ta）-265mW（Ta）-1.33W（Tc）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 190mA 栅源极阈值电压: 2.1V @ 250uA 漏源导通电阻: 4.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 265mW 类型: N沟道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） FET 功能: - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .43nC @ 4.5V FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 功率耗散（最大值）: 265mW（Ta），1.33W（Tc） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17pF @ 10V FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .43nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 265mW（Ta），1.33W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PMV30UN2R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-20V-4.2A（Ta）-490mW（Ta）,-5W（Tc）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.2A 栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA 漏源导通电阻: 32mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 490mW 类型: N沟道 漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.2A 栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA 漏源导通电阻: 32mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 490mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 655pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 490mW（Ta）, 5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-20V-4.2A（Ta）-490mW（Ta）,-5W（Tc）-TO-236AB
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.2A 栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA 漏源导通电阻: 32mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 490mW 类型: N沟道 漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.2A 栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA 漏源导通电阻: 32mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 490mW 类型: N沟道 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 655pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 490mW（Ta）, 5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3