NEXPERIA(安世)
商品列表
BSN20BKR
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 265mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .49nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20.2pF @ 30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 310mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 265mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: .49nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20.2pF @ 30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 310mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002CK,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-300mA（Ta）-350mW（Ta）-TO-236AB
安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 技术: MOSFET（金属氧化物） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA（Ta） FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 55pF @ 25V Vgs（最大值）: ±20V 工作温度: 150°C（TJ） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.3nC @ 4.5V 漏源电压（Vdss）: 60V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-N-通道-60V-300mA（Ta）-350mW（Ta）-TO-236AB
安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V 技术: MOSFET（金属氧化物） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA（Ta） FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 55pF @ 25V Vgs（最大值）: ±20V 工作温度: 150°C（TJ） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.3nC @ 4.5V 漏源电压（Vdss）: 60V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
PMZ290UNE2YL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 320 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV @ 250µA Vgs（最大值）: ±8V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta），5.43W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN1006-3 封装/外壳: SC-101，SOT-883 漏源电压（Vdss）: 20V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 46pF @ 10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 320 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV @ 250µA Vgs（最大值）: ±8V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta），5.43W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN1006-3 封装/外壳: SC-101，SOT-883 漏源电压（Vdss）: 20V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 46pF @ 10V
PMPB13XNE,115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 36nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2195pF @ 15V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN2020MD-6 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 36nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2195pF @ 15V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN2020MD-6 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
PMPB15XP,115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-12V-8.2A（Ta）-1.7W（Ta）-12.5W（Tc）-DFN2020MD-6
安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19 毫欧 @ 8.2A，4.5V 技术: MOSFET（金属氧化物） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.2A（Ta） FET 类型: P 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2875pF @ 6V Vgs（最大值）: ±12V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100nC @ 4.5V 漏源电压（Vdss）: 12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型-P-通道-12V-8.2A（Ta）-1.7W（Ta）-12.5W（Tc）-DFN2020MD-6
安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19 毫欧 @ 8.2A，4.5V 技术: MOSFET（金属氧化物） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.2A（Ta） FET 类型: P 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2875pF @ 6V Vgs（最大值）: ±12V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100nC @ 4.5V 漏源电压（Vdss）: 12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
BST82,215
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 欧姆 @ 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 40pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 830mW（Tc） 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 欧姆 @ 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 40pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 830mW（Tc） 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS87,115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 120pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 580mW（Ta），12.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-89 封装/外壳: TO-243AA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 120pF @ 25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 580mW（Ta），12.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-89 封装/外壳: TO-243AA
BAS316,115
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管-标准-100V-250mA（DC）-表面贴装型-SOD-323
反向恢复时间（trr）: 4ns 直流反向耐压（Vr）: 100V 平均整流电流（Io）: 250mA 正向压降（Vf）: 1.25V @ 150mA 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100V 电流 - 平均整流 (Io): 250mA（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25V @ 150mA 速度: 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容: 1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: 150°C（最大）
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管-标准-100V-250mA（DC）-表面贴装型-SOD-323
反向恢复时间（trr）: 4ns 直流反向耐压（Vr）: 100V 平均整流电流（Io）: 250mA 正向压降（Vf）: 1.25V @ 150mA 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100V 电流 - 平均整流 (Io): 250mA（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25V @ 150mA 速度: 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容: 1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: 150°C（最大）
BAS21,215
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 通用二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA SOT-23
直流反向耐压（Vr）: 250V 平均整流电流（Io）: 200mA 正向压降（Vf）: 1.25V @ 200mA 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25V @ 200mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr): 50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容: 5pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB 工作温度 - 结: 150°C（最大）
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 通用二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA SOT-23
直流反向耐压（Vr）: 250V 平均整流电流（Io）: 200mA 正向压降（Vf）: 1.25V @ 200mA 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25V @ 200mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr): 50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容: 5pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB 工作温度 - 结: 150°C（最大）
BAT760,115
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管-肖特基-20V-1A（DC）-表面贴装型-SOD-323
直流反向耐压（Vr）: 20V 平均整流电流（Io）: 1A 正向压降（Vf）: 550mV @ 1A 二极管类型: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20V 电流 - 平均整流 (Io): 1A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 550mV @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容: 25pF @ 5V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: 125°C（最大）
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管-肖特基-20V-1A（DC）-表面贴装型-SOD-323
直流反向耐压（Vr）: 20V 平均整流电流（Io）: 1A 正向压降（Vf）: 550mV @ 1A 二极管类型: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20V 电流 - 平均整流 (Io): 1A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 550mV @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容: 25pF @ 5V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: 125°C（最大）