2N7002P,215

品牌
NEXPERIA(安世)
供应商
描述
表面贴装型-N-通道-60V-360mA(Ta)-350mW(Ta)-TO-236AB

物料参数

漏源电压(Vdss):60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA
栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA
漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C):350mW
类型:N沟道
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
FET 类型:N 通道
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):350mW(Ta)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 功能:-
技术:MOSFET(金属氧化物)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V
安装类型:表面贴装型
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):.8nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss):60V
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):.8nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 10V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):350mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-236AB
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3