2N7002P,215
品牌
NEXPERIA(安世)
供应商
描述
表面贴装型-N-通道-60V-360mA(Ta)-350mW(Ta)-TO-236AB
物料参数
漏源电压(Vdss): | 60V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时): | 360mA |
栅源极阈值电压: | 2.4V @ 250uA |
漏源导通电阻: | 1.6Ω @ 500mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C): | 350mW |
类型: | N沟道 |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 250µA |
FET 类型: | N 通道 |
Vgs(最大值): | ±20V |
功率耗散(最大值): | 350mW(Ta) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 360mA(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
FET 功能: | - |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50pF @ 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.6 欧姆 @ 500mA,10V |
安装类型: | 表面贴装型 |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | .8nC @ 4.5V |
漏源电压(Vdss): | 60V |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 360mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.6 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | .8nC @ 4.5V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50pF @ 10V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 350mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-236AB |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |