BSS84AKM,315
品牌
NEXPERIA(安世)
供应商
物料参数
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 50V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 230mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | .35nC @ 5V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 36pF @ 25V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 340mW（Ta），2.7W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DFN1006-3 |
| 封装/外壳: | SC-101，SOT-883 |