

BSH105,215
品牌
NEXPERIA(安世)
供应商

描述
表面贴装型-N-通道-20V-1.05A(Ta)-417mW(Ta)-TO-236AB
物料参数
漏源电压(Vdss): | 20V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时): | 1.05A |
栅源极阈值电压: | 570mV @ 1mA |
漏源导通电阻: | 200mΩ @ 600mA,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C): | 417mW |
类型: | N沟道 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.05A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 200 毫欧 @ 600mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 570mV @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.9nC @ 4.5V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 152pF @ 16V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 417mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-236AB |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |