BSH105,215

品牌
NEXPERIA(安世)
供应商
描述
表面贴装型-N-通道-20V-1.05A(Ta)-417mW(Ta)-TO-236AB

物料参数

漏源电压(Vdss):20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.05A
栅源极阈值电压:570mV @ 1mA
漏源导通电阻:200mΩ @ 600mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C):417mW
类型:N沟道
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.05A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):200 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):570mV @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):3.9nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):152pF @ 16V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):417mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-236AB
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3