INFINEON
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IR3584MTRPBF
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
PCN组件/产地: Assembly Site Addition 17/Dec/2014Assembly Site Add 2/Nov/2015 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - 专用型 系列: - 包装: 带卷（TR） 应用: 控制器，Intel VR12，VR12.5 电压-输入: 3.3V 输出数: 2 电压-输出: - 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 40-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 40-QFN（5x5）
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
PCN组件/产地: Assembly Site Addition 17/Dec/2014Assembly Site Add 2/Nov/2015 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - 专用型 系列: - 包装: 带卷（TR） 应用: 控制器，Intel VR12，VR12.5 电压-输入: 3.3V 输出数: 2 电压-输出: - 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 40-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 40-QFN（5x5）
BSP324E6327
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 94µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-SOT223-4 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 漏源电压（Vdss）: 400 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.9 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 154 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 94µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-SOT223-4 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 漏源电压（Vdss）: 400 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.9 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 154 pF @ 25 V
BCW66KFE6327HTSA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不適用於新設計 晶体管类型: NPN 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 20nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，1V 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 功率 - 最大值: 500 mW 基本产品编号: BCW66
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不適用於新設計 晶体管类型: NPN 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 20nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，1V 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 功率 - 最大值: 500 mW 基本产品编号: BCW66
IPB052N04NGATMA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.2 毫欧 @ 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 33µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 79W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D²PAK（TO-263AB） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3300 pF @ 20 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.2 毫欧 @ 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 33µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 79W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D²PAK（TO-263AB） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3300 pF @ 20 V
IRFR4105
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
设计资源: IRFR4105 Saber ModelIRFR4105 Spice Model EDA/CAD模型: 从 Accelerated Designs 下载 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: HEXFET® 包装: 管件 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 27A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 45 毫欧 @ 16A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 700pF @ 25V 功率-最大值: 68W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: D-Pak 其它名称: *IRFR4105
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
设计资源: IRFR4105 Saber ModelIRFR4105 Spice Model EDA/CAD模型: 从 Accelerated Designs 下载 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: HEXFET® 包装: 管件 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 27A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 45 毫欧 @ 16A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 700pF @ 25V 功率-最大值: 68W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: D-Pak 其它名称: *IRFR4105
IPW60R190C6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 20.2A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 630µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 63nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1400pF @ 100V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 151W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 190 毫欧 @ 9.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO247-3 封装/外壳: TO-247-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 20.2A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 630µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 63nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1400pF @ 100V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 151W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 190 毫欧 @ 9.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO247-3 封装/外壳: TO-247-3
IPD50N06S214ATMA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 80µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TO252-3 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 52 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1485 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 80µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TO252-3 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 52 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1485 pF @ 25 V
SAK-XE164HN-40F80LAA
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
描述: IC MCU 16BIT 320KB FLASH 100LQFP
制造商: Infineon Technologies 系列: XE16x 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 核心处理器: C166SV2 内核规格: 16 位 速度: 80MHz 连接能力: EBI/EMI，I²C，LINbus，SPI，SSC，UART/USART，USI 外设: I²S，POR，PWM，WDT 程序存储容量: 320KB（320K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 34K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 裸露焊盘 供应商器件封装: PG-LQFP-100-8 I/O 数: 75 基本产品编号: SA*XE164HN
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
描述: IC MCU 16BIT 320KB FLASH 100LQFP
制造商: Infineon Technologies 系列: XE16x 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 核心处理器: C166SV2 内核规格: 16 位 速度: 80MHz 连接能力: EBI/EMI，I²C，LINbus，SPI，SSC，UART/USART，USI 外设: I²S，POR，PWM，WDT 程序存储容量: 320KB（320K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 34K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 裸露焊盘 供应商器件封装: PG-LQFP-100-8 I/O 数: 75 基本产品编号: SA*XE164HN
BCR08PNH6433
供应商: DigiKey
分类: 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 2.2k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 47k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止（最大值）: - 频率-跃迁: 170MHz 功率-最大值: 250mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: PG-SOT363-6 其它名称: BCR08PNH6433XTMA1SP000750770
供应商: DigiKey
分类: 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 2.2k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 47k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 5mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止（最大值）: - 频率-跃迁: 170MHz 功率-最大值: 250mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: PG-SOT363-6 其它名称: BCR08PNH6433XTMA1SP000750770
PTFA190451EV4XWSA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
描述: IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 晶体管类型: LDMOS 频率: 1.96GHz 增益: 17.5dB 额定电流（安培）: 10µA 噪声系数: - 功率 - 输出: 11W 封装/外壳: H-36265-2 供应商器件封装: H-36265-2 电压 - 测试: 28 V 电流 - 测试: 450 mA 电压 - 额定: 65 V 基本产品编号: PTFA190451
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
描述: IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 晶体管类型: LDMOS 频率: 1.96GHz 增益: 17.5dB 额定电流（安培）: 10µA 噪声系数: - 功率 - 输出: 11W 封装/外壳: H-36265-2 供应商器件封装: H-36265-2 电压 - 测试: 28 V 电流 - 测试: 450 mA 电压 - 额定: 65 V 基本产品编号: PTFA190451