INFINEON
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IPA65R660CFDXKSA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 6A TO220
制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ 包装: 管件 零件状态: 不適用於新設計 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 660 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 200µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 27.8W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO220 整包 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 615 pF @ 100 V 基本产品编号: IPA65R660
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 6A TO220
制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ 包装: 管件 零件状态: 不適用於新設計 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 660 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 200µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 27.8W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO220 整包 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 615 pF @ 100 V 基本产品编号: IPA65R660
IPB65R660CFD
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 6A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 200µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 615pF @ 100V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 62.5W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 660 毫欧 @ 2.1A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TO263 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 6A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 200µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 615pF @ 100V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 62.5W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 660 毫欧 @ 2.1A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TO263 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
IPA60R165CP
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
Vgs(th)(Max)@Id: 3.5V @ 790µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 52 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: PG-TO220 Full Pack Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 21A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: Infineon Technologies PowerDissipation(Max): 34W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 600 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Package/Case: TO-220-3 Full Pack MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 2000 pF @ 100 V Series: CoolMOS™ FETType: N-Channel Package: Bulk HTSUS: 0000.00.0000
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
Vgs(th)(Max)@Id: 3.5V @ 790µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 52 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: PG-TO220 Full Pack Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 21A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: Infineon Technologies PowerDissipation(Max): 34W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 600 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Package/Case: TO-220-3 Full Pack MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 2000 pF @ 100 V Series: CoolMOS™ FETType: N-Channel Package: Bulk HTSUS: 0000.00.0000
ICE1HS01G1XUMA1
供应商: DigiKey
分类: PMIC - AC DC 转换器，离线转换开关
描述: IC CTRLR RESONATE MODE 8DSO
制造商: Infineon Technologies 系列: - 零件状态: 在售 输出隔离: 隔离 内部开关: 无 电压 - 击穿: - 拓扑: 半桥 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 10.2V ~ 18V 占空比: 50% 频率 - 开关: 50kHz ~ 609kHz 故障保护: 限流，开路，过载，过压 控制特性: 频率控制 工作温度: -25°C ~ 125°C（TJ） 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: PG-DSO-8 安装类型: 表面贴装型 电压 - 启动: 12 V 基本产品编号: ICE1HS01
供应商: DigiKey
分类: PMIC - AC DC 转换器，离线转换开关
描述: IC CTRLR RESONATE MODE 8DSO
制造商: Infineon Technologies 系列: - 零件状态: 在售 输出隔离: 隔离 内部开关: 无 电压 - 击穿: - 拓扑: 半桥 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 10.2V ~ 18V 占空比: 50% 频率 - 开关: 50kHz ~ 609kHz 故障保护: 限流，开路，过载，过压 控制特性: 频率控制 工作温度: -25°C ~ 125°C（TJ） 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: PG-DSO-8 安装类型: 表面贴装型 电压 - 启动: 12 V 基本产品编号: ICE1HS01
IPL60R2K1C6SATMA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.1 欧姆 @ 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 60µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 21.6W（Tc） 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: Thin-PAK（5x6） 封装/外壳: 8-PowerTDFN 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.7 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 140 pF @ 100 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.1 欧姆 @ 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 60µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 21.6W（Tc） 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: Thin-PAK（5x6） 封装/外壳: 8-PowerTDFN 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.7 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 140 pF @ 100 V
IM240M6Z1BALSA1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: MODULE IPM 3PHASE SOP23
制造商: Infineon Technologies 系列: IM240-M6 包装: 管件 零件状态: 停產 类型: IGBT 配置: 三相反相器 电压 - 隔离: 1900Vrms 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 23-PowerSMD 模块，鸥翼 电流: 4 A 电压: 600 V
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: MODULE IPM 3PHASE SOP23
制造商: Infineon Technologies 系列: IM240-M6 包装: 管件 零件状态: 停產 类型: IGBT 配置: 三相反相器 电压 - 隔离: 1900Vrms 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 23-PowerSMD 模块，鸥翼 电流: 4 A 电压: 600 V
IR21084S
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 栅极驱动器 系列: - 包装: 管件 驱动配置: 半桥 通道类型: 独立式 驱动器数: 2 栅极类型: IGBT，N 沟道 MOSFET 电压-电源: 10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH: 0.8V，2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）: 200mA，350mA 输入类型: 非反相 高压侧电压-最大值（自举）: 600V 上升/下降时间（典型值）: 150ns，50ns 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 14-SOICN 其它名称: *IR21084S
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 栅极驱动器 系列: - 包装: 管件 驱动配置: 半桥 通道类型: 独立式 驱动器数: 2 栅极类型: IGBT，N 沟道 MOSFET 电压-电源: 10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH: 0.8V，2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）: 200mA，350mA 输入类型: 非反相 高压侧电压-最大值（自举）: 600V 上升/下降时间（典型值）: 150ns，50ns 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 14-SOICN 其它名称: *IR21084S
TLE42994GM
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: 汽车级，AEC-Q100 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 稳压器拓扑: 正，固定式 电压-输出: 5V 电流-输出: 150mA 电压-跌落（典型值）: 0.22V @ 100mA 稳压器数: 1 电压-输入: 5.5 V ~ 45 V 电流-限制（最小值）: 150mA 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: PG-DSO-14
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: 汽车级，AEC-Q100 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 稳压器拓扑: 正，固定式 电压-输出: 5V 电流-输出: 150mA 电压-跌落（典型值）: 0.22V @ 100mA 稳压器数: 1 电压-输入: 5.5 V ~ 45 V 电流-限制（最小值）: 150mA 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: PG-DSO-14
IPP65R110CFDAAKSA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31.2A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1.3mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 277.8W（Tc） 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 118 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3240 pF @ 100 V 基本产品编号: IPP65R110
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31.2A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1.3mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 277.8W（Tc） 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 118 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3240 pF @ 100 V 基本产品编号: IPP65R110
BTS5236-2EKA
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 配电开关，负载驱动器
描述: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
制造商: Infineon Technologies 系列: PROFET® 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 开关类型: 通用 输出数: 2 比率 - 输入:输出: 1：1 输出配置: 高端 输出类型: N 通道 接口: 开/关 电压 - 负载: 4.5V ~ 28V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要 电流 - 输出（最大值）: 3.6A 导通电阻（典型值）: 40 毫欧 输入类型: 非反相 特性: 自动重启，状态标志 故障保护: 限流（固定），开路负载检测，超温，过压 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-DSO-14 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 基本产品编号: BTS5236
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 配电开关，负载驱动器
描述: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
制造商: Infineon Technologies 系列: PROFET® 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 开关类型: 通用 输出数: 2 比率 - 输入:输出: 1：1 输出配置: 高端 输出类型: N 通道 接口: 开/关 电压 - 负载: 4.5V ~ 28V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要 电流 - 输出（最大值）: 3.6A 导通电阻（典型值）: 40 毫欧 输入类型: 非反相 特性: 自动重启，状态标志 故障保护: 限流（固定），开路负载检测，超温，过压 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-DSO-14 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 基本产品编号: BTS5236