BCR08PNH6433
品牌
供应商
分类
晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 家庭: | 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列: | - |
| 包装: | 带卷（TR） |
| 晶体管类型: | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流-集电极（Ic）（最大值）: | 100mA |
| 电压-集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器-基底（R1）（欧姆）: | 2.2k |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: | 47k |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: | 70 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流-集电极截止（最大值）: | - |
| 频率-跃迁: | 170MHz |
| 功率-最大值: | 250mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT363-6 |
| 其它名称: | BCR08PNH6433XTMA1SP000750770 |