INFINEON
商品列表
KP124
供应商: DigiKey
分类: 传感器，变送器
PCN过时产品/EOL: KP12xx, KP106-xx 29/Oct/2010 类别: 传感器，变送器 家庭: 压力传感器，变送器 系列: - 压力类型: 绝对 工作压力: 2.18 PSI ~ 16.68 PSI（15 kPa ~ 115 kPa） 输出类型: 模拟电压 输出: 0.2 V ~ 4.7 V 精度: ±1.5% 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 端口尺寸: - 端口样式: 无端口 特性: 放大输出，温度补偿 端子类型: 表面贴装型 最高压力: - 工作温度: -40°C ~ 125°C 封装/外壳: 8-SMD 模块 供应商器件封装: - 其它名称: SP000239581
供应商: DigiKey
分类: 传感器，变送器
PCN过时产品/EOL: KP12xx, KP106-xx 29/Oct/2010 类别: 传感器，变送器 家庭: 压力传感器，变送器 系列: - 压力类型: 绝对 工作压力: 2.18 PSI ~ 16.68 PSI（15 kPa ~ 115 kPa） 输出类型: 模拟电压 输出: 0.2 V ~ 4.7 V 精度: ±1.5% 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 端口尺寸: - 端口样式: 无端口 特性: 放大输出，温度补偿 端子类型: 表面贴装型 最高压力: - 工作温度: -40°C ~ 125°C 封装/外壳: 8-SMD 模块 供应商器件封装: - 其它名称: SP000239581
IPP60R250CP
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
PCN设计/规格: Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: CoolMOS™ 包装: 管件 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250 毫欧 @ 7.8A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 440µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 35nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1200pF @ 100V 功率-最大值: 104W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220-3 其它名称: IPP60R250CPAKSA1IPP60R250CPINIPP60R250CPXKIPP60R250CPXKSA1SP000358136
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
PCN设计/规格: Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: CoolMOS™ 包装: 管件 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250 毫欧 @ 7.8A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 440µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 35nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1200pF @ 100V 功率-最大值: 104W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220-3 其它名称: IPP60R250CPAKSA1IPP60R250CPINIPP60R250CPXKIPP60R250CPXKSA1SP000358136
IR3820AMTRPBF
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
RoHS指令信息: PQFN 5x6 RoHS Compliance PCN过时产品/EOL: FAB 11 EOL 15/OCT/2015 PCN组件/产地: SuplRbuck Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Additional Test Site 01/Aug/2014 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 系列: SupIRBuck™ 包装: Digi-Reel® 功能: 降压 输出配置: 正 拓扑: 降压 输出类型: 可调式 输出数: 1 电压-输入（最小值）: 2.5V 电压-输入（最大值）: 21V 电压-输出（最小值/固定）: 0.6V 电压-输出（最大值）: 12V 电流-输出: 14A 频率-开关: 300kHz 同步整流器: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 15-PowerVQFN 供应商器件封装: PQFN（5x6） 其它名称: IR3820AMTRPBFDKR
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
RoHS指令信息: PQFN 5x6 RoHS Compliance PCN过时产品/EOL: FAB 11 EOL 15/OCT/2015 PCN组件/产地: SuplRbuck Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Additional Test Site 01/Aug/2014 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 系列: SupIRBuck™ 包装: Digi-Reel® 功能: 降压 输出配置: 正 拓扑: 降压 输出类型: 可调式 输出数: 1 电压-输入（最小值）: 2.5V 电压-输入（最大值）: 21V 电压-输出（最小值/固定）: 0.6V 电压-输出（最大值）: 12V 电流-输出: 14A 频率-开关: 300kHz 同步整流器: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 15-PowerVQFN 供应商器件封装: PQFN（5x6） 其它名称: IR3820AMTRPBFDKR
IRU1150CSTRPBF
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - 线性 系列: - 包装: 带卷（TR） 稳压器拓扑: 正，可调式 电压-输出: 1.25 V ~ 5.5 V 电流-输出: 4A 电压-跌落（典型值）: 0.7V @ 4A 稳压器数: 1 电压-输入: 最高 7V 电流-限制（最小值）: 4.2A 工作温度: 0°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - 线性 系列: - 包装: 带卷（TR） 稳压器拓扑: 正，可调式 电压-输出: 1.25 V ~ 5.5 V 电流-输出: 4A 电压-跌落（典型值）: 0.7V @ 4A 稳压器数: 1 电压-输入: 最高 7V 电流-限制（最小值）: 4.2A 工作温度: 0°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC
BSZ042N06NS
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 17A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.8V @ 36µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2000pF @ 30V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），69W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 17A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.8V @ 36µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2000pF @ 30V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），69W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳: 8-PowerTDFN
TLE8886TN2AKSA1
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 专用型
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: * 零件状态: 在售
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 专用型
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: * 零件状态: 在售
IPD65R600C6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ 包装: Digi-Reel® 零件状态: 不適用於新設計 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.3A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 210µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 23nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 440pF @ 100V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 63W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 600 毫欧 @ 2.1A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TO252-3 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ 包装: Digi-Reel® 零件状态: 不適用於新設計 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.3A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 210µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 23nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 440pF @ 100V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 63W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 600 毫欧 @ 2.1A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TO252-3 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
IRLR2705
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
设计资源: IRLR2705 Saber ModelIRLR2705 Spice Model EDA/CAD模型: 从 Accelerated Designs 下载 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: HEXFET® 包装: 管件 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 28A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40 毫欧 @ 17A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 25nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 880pF @ 25V 功率-最大值: 68W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: D-Pak 其它名称: *IRLR2705
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
设计资源: IRLR2705 Saber ModelIRLR2705 Spice Model EDA/CAD模型: 从 Accelerated Designs 下载 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: HEXFET® 包装: 管件 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 28A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40 毫欧 @ 17A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 25nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 880pF @ 25V 功率-最大值: 68W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: D-Pak 其它名称: *IRLR2705
BSC750N10NDG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.2A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75 毫欧 @ 13A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 12µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 720pF @ 50V 功率-最大值: 26W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PG-TDSON-8
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.2A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75 毫欧 @ 13A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 12µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 720pF @ 50V 功率-最大值: 26W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PG-TDSON-8
SRF66V10STNB
供应商: DigiKey
分类: RFID，射频接入，监控 IC
描述: IC EEPROM 10KBIT INTELLIG WAFER
制造商: Infineon Technologies 系列: * 包装: 散装 零件状态: 停產
供应商: DigiKey
分类: RFID，射频接入，监控 IC
描述: IC EEPROM 10KBIT INTELLIG WAFER
制造商: Infineon Technologies 系列: * 包装: 散装 零件状态: 停產