IPD50N06S214ATMA1
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
物料参数
| 制造商: | Infineon Technologies |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | Digi-Key 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 14.4 毫欧 @ 32A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 80µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 136W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 52 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1485 pF @ 25 V |
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