AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOD4185
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252 FET类型：P-Channel 工作温度：-55℃~175℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：-40V
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15毫欧@20A，10V 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252 FET类型：P-Channel 工作温度：-55℃~175℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：-40V
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15毫欧@20A，10V 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AO6604
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 20V,2.5A,互补型MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.4A,2.5A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 27pF，70pF 输入电容Ciss: 260pF,560pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: - 配置: 单路 FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 3.8nC 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.25mm 晶体管类型: - 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 20V,2.5A,互补型MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.4A,2.5A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 27pF，70pF 输入电容Ciss: 260pF,560pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: - 配置: 单路 FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 3.8nC 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.25mm 晶体管类型: - 引脚数: 6Pin
AON7401
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: PMOS
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 29W 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): -2.2V 连续漏极电流Id@25℃: 35A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 295pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 39nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: PMOS
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 29W 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): -2.2V 连续漏极电流Id@25℃: 35A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 295pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 39nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
AO4468
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟 30V 10.5A
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10.5A 极性: N-沟道 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 10.5A 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 24nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟 30V 10.5A
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10.5A 极性: N-沟道 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 10.5A 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 24nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AO9926B
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 20V,7.6A,双N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压Vgs(th): 1.1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7.6A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 输入电容Ciss: 525pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 12.5nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: - 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 20V,7.6A,双N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压Vgs(th): 1.1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7.6A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 输入电容Ciss: 525pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 12.5nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: - 引脚数: 8Pin
AON6407
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: -30V,-85A,单P沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 功率耗散: 83W 阈值电压Vgs(th): 2.6V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 85A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 封装/外壳: DFN8_5.5X5.2MM 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 105nC@10V 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: -30V,-85A,单P沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 功率耗散: 83W 阈值电压Vgs(th): 2.6V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 85A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 封装/外壳: DFN8_5.5X5.2MM 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 105nC@10V 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AO4800
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,30V,6.9A,27mΩ@10V
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6.9A 栅源极阈值电压: 1.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 27mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W 类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,30V,6.9A,27mΩ@10V
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6.9A 栅源极阈值电压: 1.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 27mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W 类型: N沟道
AO3415
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 3.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.5V，4.5V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23 漏极电流: 4A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 输入电容: 1.45nF@10V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.2nC@4.5V 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 3.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.5V，4.5V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23 漏极电流: 4A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 输入电容: 1.45nF@10V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.2nC@4.5V 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AOD403
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 70A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 阈值电压: 3.5V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 70A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V，20V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 15A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 120nC@10V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 70A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 阈值电压: 3.5V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 70A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V，20V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 15A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 120nC@10V 晶体管类型: P沟道
AOZ1016AI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC转换器
描述: 2A, 4.5V~16V, EZBuck系列DC-DC降压稳压器
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 输出电压（最大值）: 16V 输出端数: 1 输入电压（最小值）: 4.5V 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: Adjustable 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 元件生命周期: Obsolete 同步整流: 无 功能: 降压 原产国家: America 输出电流: 2A 最小包装: 3000pcs 开关频率: 500KHz 输出电压: 0.8V~16V 输出电压（最小值/固定）: 800mV 输入电压（最大值）: 16V 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC转换器
描述: 2A, 4.5V~16V, EZBuck系列DC-DC降压稳压器
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 输出电压（最大值）: 16V 输出端数: 1 输入电压（最小值）: 4.5V 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: Adjustable 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 元件生命周期: Obsolete 同步整流: 无 功能: 降压 原产国家: America 输出电流: 2A 最小包装: 3000pcs 开关频率: 500KHz 输出电压: 0.8V~16V 输出电压（最小值/固定）: 800mV 输入电压（最大值）: 16V 引脚数: 8Pin