AOD4185
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
封装/外壳:TO-252 FET类型:P-Channel 工作温度:-55℃~175℃ 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:-40V
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | AOS |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
阈值电压: | 3V@250µA |
原始制造商: | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流: | 40A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 6.60 x 6.10mm |
封装/外壳: | TO252 |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 15毫欧@20A,10V |
原产国家: | America |
FET功能: | - |
最小包装: | 2500pcs |
漏源电压(Vdss): | 40V |
栅极电荷(Qg): | 55nC@10V |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | P沟道 |