AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOD2810
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~175℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：80V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 2.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5毫欧@20A，10V FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 38nC@10V 高度: 2.29mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~175℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：80V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 2.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5毫欧@20A，10V FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 38nC@10V 高度: 2.29mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO3414
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SOT23-3 N-Channel -55°C~150°C ±8V 20V 3A 50mΩ@4.2A,4.5V 1.4W
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3A 栅源极阈值电压: 1V @ 250uA 漏源导通电阻: 50mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W 类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SOT23-3 N-Channel -55°C~150°C ±8V 20V 3A 50mΩ@4.2A,4.5V 1.4W
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3A 栅源极阈值电压: 1V @ 250uA 漏源导通电阻: 50mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W 类型: N沟道
AOD417
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：-30V 连续漏极电流Id：-25A
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 25A 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 漏源导通电阻: 34mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W 类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：-30V 连续漏极电流Id：-25A
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 25A 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 漏源导通电阻: 34mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W 类型: P沟道
AO4803A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟 -30V -5A
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5A 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 46mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W 类型: 双P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟 -30V -5A
漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5A 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻: 46mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W 类型: 双P沟道
AON7140
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:40V 电流:148A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):148A 功率(Pd):46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA
安装类型: SMT 品牌: AOS 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 148A 漏源击穿电压BVDSS: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.30 x 3.30mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 65pF 输入电容Ciss: 3.35nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 42nC 配置: 单路 原产国家: America 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:40V 电流:148A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):148A 功率(Pd):46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA
安装类型: SMT 品牌: AOS 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 148A 漏源击穿电压BVDSS: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.30 x 3.30mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 65pF 输入电容Ciss: 3.35nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 42nC 配置: 单路 原产国家: America 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 零件状态: Active
AO3481C
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23 FET类型：P-Channel 工作温度：-55°C~150°C 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：-30V
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 1.7V@250µA 漏极电流Idss: -4.3A FET类型: P沟道 元件生命周期: Active 原产国家: America 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 品牌: AOS 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流Id@25℃: -4.3A 导通电阻Rds On(Max): 65mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 23nC 输入电容(Ciss)(Max): 720pF 功率(Max): 1.3W 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23 FET类型：P-Channel 工作温度：-55°C~150°C 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：-30V
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 1.7V@250µA 漏极电流Idss: -4.3A FET类型: P沟道 元件生命周期: Active 原产国家: America 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 品牌: AOS 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流Id@25℃: -4.3A 导通电阻Rds On(Max): 65mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 23nC 输入电容(Ciss)(Max): 720pF 功率(Max): 1.3W 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOT-23-3
AO4425
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：38V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.8mΩ@10V,14A
安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 14A，20V 技术: MOSFET（金属氧化物） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta） FET 类型: P 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3800pF @ 20V Vgs（最大值）: ±25V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 63nC @ 10V 漏源电压（Vdss）: 38V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：38V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.8mΩ@10V,14A
安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 14A，20V 技术: MOSFET（金属氧化物） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta） FET 类型: P 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3800pF @ 20V Vgs（最大值）: ±25V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 63nC @ 10V 漏源电压（Vdss）: 38V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA
AOD4184L
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: TO252 Vgs(Max) : 50A Vdss : 40V
漏源电压（Vdss）: 40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 50A(Tc) 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 漏源导通电阻: 8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W(Tc) 类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: TO252 Vgs(Max) : 50A Vdss : 40V
漏源电压（Vdss）: 40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 50A(Tc) 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 漏源导通电阻: 8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W(Tc) 类型: N沟道
AOD240
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: MOSFET N-CH 40V 23A TO252
安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 毫欧 @ 20A，10V 技术: MOSFET（金属氧化物） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A（Ta），70A（Tc） FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300pF @ 20V Vgs（最大值）: ±20V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60nC @ 10V 漏源电压（Vdss）: 40V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.7W（Ta），150W（Tc） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: MOSFET N-CH 40V 23A TO252
安装类型: 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 毫欧 @ 20A，10V 技术: MOSFET（金属氧化物） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A（Ta），70A（Tc） FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300pF @ 20V Vgs（最大值）: ±20V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60nC @ 10V 漏源电压（Vdss）: 40V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.7W（Ta），150W（Tc） 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
AOD407
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>12A</SPAN> 功率(Pd)：2.5W；50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ@10V,<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>12A</SPAN>
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A(Tc) 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 漏源导通电阻: 115mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W(Tc) 类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>12A</SPAN> 功率(Pd)：2.5W；50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ@10V,<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>12A</SPAN>
漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A(Tc) 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 漏源导通电阻: 115mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W(Tc) 类型: P沟道