AON7401
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
PMOS
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率耗散: | 29W |
| 原始制造商: | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd |
| 阈值电压Vgs(th): | -2.2V |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 35A |
| 包装: | Tape/reel |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 30V |
| 封装/外壳: | DFN8_3X3MM_EP |
| 制造商标准提前期: | 16 周 |
| 栅极源极击穿电压: | ±25V |
| 反向传输电容Crss: | 295pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | America |
| FET功能: | - |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 39nC@10V |
| 湿气敏感性等级（MSL）: | 1（无限） |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 晶体管类型: | P沟道 |