AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4262E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 16.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.2V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 16.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5,10V 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 输入电容: 1.652nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 16.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.2V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 16.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5,10V 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 输入电容: 1.652nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AOSP21321
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 击穿电压: -30V 阈值电压: 2.3V@250μA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 11A 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 1180pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 21nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 34nC@10V 高度: 1.50mm 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 击穿电压: -30V 阈值电压: 2.3V@250μA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 11A 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 1180pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 21nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 34nC@10V 高度: 1.50mm 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
AON6220
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 48A（Tc） 113.5W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 功率耗散: 113.5W 击穿电压: 100V 阈值电压: 1.75V 额定功率: 113.5W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 48A 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 65nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.3mΩ 输入电容: 4.525nF 额定电压: 100 V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 95nC 高度: 0.95mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 48A（Tc） 113.5W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 功率耗散: 113.5W 击穿电压: 100V 阈值电压: 1.75V 额定功率: 113.5W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 48A 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 65nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.3mΩ 输入电容: 4.525nF 额定电压: 100 V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 95nC 高度: 0.95mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AO4892
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs Dual N-Channel VDS=100V ID=4A PD=2W SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 2.8V@250µA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 68mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: 标准 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 晶体管类型: - 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs Dual N-Channel VDS=100V ID=4A PD=2W SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 2.8V@250µA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 68mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: 标准 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 晶体管类型: - 类型: 2个N沟道
AON6414AL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta），30A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 31W 额定功率: 31W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 24nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10.5mΩ 输入电容: 1.38nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta），30A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 31W 额定功率: 31W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 24nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10.5mΩ 输入电容: 1.38nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC
AONS62922
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: DFN8_5.55X5.2MM_EP 215W
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 215W 额定功率: 215W 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 85A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.1mΩ 漏源电压(Vdss): 120V 栅极电荷(Qg): 65nC 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: DFN8_5.55X5.2MM_EP 215W
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 215W 额定功率: 215W 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 85A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.1mΩ 漏源电压(Vdss): 120V 栅极电荷(Qg): 65nC 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AOZ1282CI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 降压 开关稳压器 IC 正 可调式 0.8V 1 输出 1.2A SOT-23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 输出配置: 正电压 拓扑结构: 降压 输入电压: 4.5V~36V 输入电压（最小值）: 4.5V 封装/外壳: SOT23-6 输出类型: Adjustable 同步整流: 否 工作温度: -40℃~+85℃ 系列: EZBuck™ 功能: 降压 原产国家: America 输出电流: 1.2A 开关频率: 450KHz 内置开关管: 内置 输出电压: 0.8V~36V 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 36V 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 降压 开关稳压器 IC 正 可调式 0.8V 1 输出 1.2A SOT-23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 输出配置: 正电压 拓扑结构: 降压 输入电压: 4.5V~36V 输入电压（最小值）: 4.5V 封装/外壳: SOT23-6 输出类型: Adjustable 同步整流: 否 工作温度: -40℃~+85℃ 系列: EZBuck™ 功能: 降压 原产国家: America 输出电流: 1.2A 开关频率: 450KHz 内置开关管: 内置 输出电压: 0.8V~36V 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 36V 引脚数: 6Pin
AO3401A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.2A
安装类型: SMT 阈值电压: 1.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.2A 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 元件生命周期: Active 漏极电流: 4A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 14nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12.2nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.2A
安装类型: SMT 阈值电压: 1.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.2A 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 元件生命周期: Active 漏极电流: 4A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 14nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12.2nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个P沟道
AO3415A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5A
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 850mV@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 5A 反向传输电容Crss: 80pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 9.3nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5A
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 850mV@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 5A 反向传输电容Crss: 80pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 9.3nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AON7410
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=9.5A DFN8_3X3MM_EP
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: ±20V 技术路线: - 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9.5A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 栅极源极击穿电压: 26mΩ 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 660pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=9.5A DFN8_3X3MM_EP
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: ±20V 技术路线: - 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9.5A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 栅极源极击穿电压: 26mΩ 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 660pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin