AO4892
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs Dual N-Channel VDS=100V ID=4A PD=2W SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 阈值电压: | 2.8V@250µA |
| 额定功率: | 2W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 68mΩ@10V,4A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 制造商标准提前期: | 16 周 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 原产国家: | America |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | - |
| FET功能: | 标准 |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC@10V |
| 晶体管类型: | - |
| 类型: | 2个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥2.4006 |
| 50+ | ¥1.9873 |
| 150+ | ¥1.8102 |
| 500+ | ¥1.5892 |
| 3000+ | ¥1.3952 |
| 6000+ | ¥1.3361 |
| 包装：5 | 库存：0 |