AOSP21321

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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 P 通道 30 V 11A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:3.1W
击穿电压:-30V
阈值电压:2.3V@250μA
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:11A
封装/外壳:SOIC8N_150MIL
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:1180pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:21nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):14mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):34nC@10V
高度:1.50mm
引脚数:8Pin
类型:1个P沟道