

AOSP21321
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 P 通道 30 V 11A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
物料参数
安装类型: | SMT |
功率耗散: | 3.1W |
击穿电压: | -30V |
阈值电压: | 2.3V@250μA |
包装: | Tape/reel |
极性: | P-沟道 |
连续漏极电流: | 11A |
封装/外壳: | SOIC8N_150MIL |
元件生命周期: | Active |
反向传输电容Crss: | 1180pF |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
充电电量: | 21nC |
配置: | 单路 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 14mΩ |
最小包装: | 3000pcs |
漏源电压(Vdss): | 30V |
栅极电荷(Qg): | 34nC@10V |
高度: | 1.50mm |
引脚数: | 8Pin |
类型: | 1个P沟道 |