AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOZ1284PI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: DC-DC电源芯片 SOIC8_150MIL_EP 3~36V 4A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 输出电压（最大值）: 30.6V 输出端数: 1 输入电压（最小值）: 3V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL_EP 输出类型: Adjustable 同步整流: 否 功能: 降压 输出电流: 4A 同步整流器: 无 开关频率: 1MHz 内置开关管: 内置 输出电压: 0.8V~30V 输出电压（最小值/固定）: 800mV 输入电压（最大值）: 36V 高度: 1.55mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: DC-DC电源芯片 SOIC8_150MIL_EP 3~36V 4A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 输出电压（最大值）: 30.6V 输出端数: 1 输入电压（最小值）: 3V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL_EP 输出类型: Adjustable 同步整流: 否 功能: 降压 输出电流: 4A 同步整流器: 无 开关频率: 1MHz 内置开关管: 内置 输出电压: 0.8V~30V 输出电压（最小值/固定）: 800mV 输入电压（最大值）: 36V 高度: 1.55mm 引脚数: 8Pin
AO3406
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 4.05nC 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 4.05nC 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 晶体管类型: N沟道
AO3416
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,20V,6.5A,22mΩ@4.5V
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术路线: - 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，4.5V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 6.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,20V,6.5A,22mΩ@4.5V
安装类型: SMT 品牌: AOS 技术路线: - 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，4.5V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 6.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 晶体管类型: N沟道
AOD442
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 60V N-Channel MOSFET VDS=60V ID=37A TO252
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: - 功率耗散: 60W 阈值电压: 2.7V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 37A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 60V N-Channel MOSFET VDS=60V ID=37A TO252
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: - 功率耗散: 60W 阈值电压: 2.7V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 37A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
AOZ1360AIL
供应商: Anychip Mall
分类: 电源开关/负载开关
描述: 28VProgrammableCurrent-LimitedLoadSwitch
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 输出配置: High Side 品牌: AOS 供电电压: 5.5V~28V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 比率（输入：输出）: 1:1 输入电压: 5.5V~28V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOICN-8_4.9X3.9MM 输出类型: P通道 接口: On/Off 开关类型: 通用 原产国家: America 输出电流: - 故障保护: 限流(可调),超温,UVLO 导通电阻: 22mΩ 通道数: 1 负载电压: 5.5~28V 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 电源开关/负载开关
描述: 28VProgrammableCurrent-LimitedLoadSwitch
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 输出配置: High Side 品牌: AOS 供电电压: 5.5V~28V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 比率（输入：输出）: 1:1 输入电压: 5.5V~28V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOICN-8_4.9X3.9MM 输出类型: P通道 接口: On/Off 开关类型: 通用 原产国家: America 输出电流: - 故障保护: 限流(可调),超温,UVLO 导通电阻: 22mΩ 通道数: 1 负载电压: 5.5~28V 引脚数: 8Pin
AON6298
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 78W 阈值电压: 3.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 1.307nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 78W 阈值电压: 3.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 1.307nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AOD482
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.7V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 额定功率: 2.5W,100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 37mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC@10V 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.7V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 额定功率: 2.5W,100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 37mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC@10V 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO3418
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 3.8A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 高度: 1.25mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 3.8A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 高度: 1.25mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO4292E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 阈值电压: 2.7V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 25nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 阈值电压: 2.7V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 25nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AO3409
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: -30V,-2.6A,P沟道MOSFET
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: ±20V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 输入电容: 370pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: -30V,-2.6A,P沟道MOSFET
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: ±20V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 输入电容: 370pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin