HXY
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BCX54-16
供应商: Anychip Mall
描述: 这款NPN型三极管（BJT）具备1A的最大集电极电流（IC），适用于各类需要良好电流控制的应用。其最高集电极-发射极电压（VCEO）为45V，适合用于低压环境下的电路设计。三极管的增益值HFE介于63至250之间，提供了可靠的电流放大效果。凭借这些特性，它可以在音频放大、信号调节及一般的电子项目中作为关键组件发挥作用，尤其适用于那些需要精确电流控制与放大的场合。对于电子实验或是日常电子设备维修组装来说，是一个实用的选择。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款NPN型三极管（BJT）具备1A的最大集电极电流（IC），适用于各类需要良好电流控制的应用。其最高集电极-发射极电压（VCEO）为45V，适合用于低压环境下的电路设计。三极管的增益值HFE介于63至250之间，提供了可靠的电流放大效果。凭借这些特性，它可以在音频放大、信号调节及一般的电子项目中作为关键组件发挥作用，尤其适用于那些需要精确电流控制与放大的场合。对于电子实验或是日常电子设备维修组装来说，是一个实用的选择。
HIRLML6401TRPBF
供应商: Anychip Mall
描述: 这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其连续电流（ID）为5安培，最大漏源电压（VDSS）为20伏特，适用于低压直流电路中的信号控制或电源管理。该器件具有45毫欧姆的导通电阻（RDON），在导通状态下的能量损耗较低，适合用于电子设备中的负载开关、电源路径管理和逻辑电平转换等应用场景，提供精确的电流调节与高效的电力传输特性。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其连续电流（ID）为5安培，最大漏源电压（VDSS）为20伏特，适用于低压直流电路中的信号控制或电源管理。该器件具有45毫欧姆的导通电阻（RDON），在导通状态下的能量损耗较低，适合用于电子设备中的负载开关、电源路径管理和逻辑电平转换等应用场景，提供精确的电流调节与高效的电力传输特性。
SL1045
供应商: Anychip Mall
描述: 肖特基二极管是一款具备高速开关特性的半导体器件，适用于高频电路中。该型号二极管具有10A的正向电流（IF/A），最大可承受45V的反向电压（VR/V），在正向导通状态下的电压降仅为0.53V（VF/V），有效降低了能量损耗。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）控制在150微安以下，保证了电路的稳定性。此外，瞬态峰值电流（IFSM/A）可达150A，使其能够在高脉冲负载下稳定工作。此款二极管凭借其优异的电气性能，广泛应用于电源转换、整流以及保护电路等多个领域。
供应商: Anychip Mall
描述: 肖特基二极管是一款具备高速开关特性的半导体器件，适用于高频电路中。该型号二极管具有10A的正向电流（IF/A），最大可承受45V的反向电压（VR/V），在正向导通状态下的电压降仅为0.53V（VF/V），有效降低了能量损耗。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）控制在150微安以下，保证了电路的稳定性。此外，瞬态峰值电流（IFSM/A）可达150A，使其能够在高脉冲负载下稳定工作。此款二极管凭借其优异的电气性能，广泛应用于电源转换、整流以及保护电路等多个领域。
HSN74LVC1G3157DBVR
供应商: Anychip Mall
描述: 这款模拟开关/多路复用器，采用单刀双掷（SPDT）设计，为您的信号路由提供精准控制。仅需1个通道，便能在1.65V至5.5V的宽工作电压下流畅切换，反应迅速，导通时间仅5.2纳秒。它适用于高速数据采集、音频视频信号切换等精密应用场合，体积精巧，性能卓越，是提升系统灵活性与响应速度的理想元件，为您的电子产品设计增添无限可能。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款模拟开关/多路复用器，采用单刀双掷（SPDT）设计，为您的信号路由提供精准控制。仅需1个通道，便能在1.65V至5.5V的宽工作电压下流畅切换，反应迅速，导通时间仅5.2纳秒。它适用于高速数据采集、音频视频信号切换等精密应用场合，体积精巧，性能卓越，是提升系统灵活性与响应速度的理想元件，为您的电子产品设计增添无限可能。
H2SD1898T100R
供应商: Anychip Mall
描述: 这款NPN型三极管，设计精良，最大承受电压高达80V，持续电流可达1A，提供稳定的功率处理能力。其卓越的放大倍数范围在180至390之间，确保了出色的信号放大性能，是各类电子设备中不可或缺的关键组件，适用于多种电路设计需求。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款NPN型三极管，设计精良，最大承受电压高达80V，持续电流可达1A，提供稳定的功率处理能力。其卓越的放大倍数范围在180至390之间，确保了出色的信号放大性能，是各类电子设备中不可或缺的关键组件，适用于多种电路设计需求。
SS1045
供应商: Anychip Mall
描述: 肖特基二极管是一种高性能的半导体元件，适用于高频电路设计。本产品支持最大10A的正向电流IF，可在最高45V的反向电压VR下稳定工作。其低至0.65V的正向电压VF有助于减少能量损耗，提高系统效率。反向漏电流IR在常温下不超过1000微安，表明其具有良好的隔离性能。此外，二极管还能承受高达250A的瞬时峰值电流IFSM，确保在瞬变条件下的可靠性。此款肖特基二极管因其快速的开关速度和低导通电压，非常适合用于各种高频开关电源、整流电路以及电子设备中的保护电路中。
供应商: Anychip Mall
描述: 肖特基二极管是一种高性能的半导体元件，适用于高频电路设计。本产品支持最大10A的正向电流IF，可在最高45V的反向电压VR下稳定工作。其低至0.65V的正向电压VF有助于减少能量损耗，提高系统效率。反向漏电流IR在常温下不超过1000微安，表明其具有良好的隔离性能。此外，二极管还能承受高达250A的瞬时峰值电流IFSM，确保在瞬变条件下的可靠性。此款肖特基二极管因其快速的开关速度和低导通电压，非常适合用于各种高频开关电源、整流电路以及电子设备中的保护电路中。
AUIRFR1018E-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: AUIRFR1018E 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达80A的连续漏极电流(ID)，展示出卓越的电力处理性能。其导通电阻(RD(on))仅为6.5mΩ，确保在大电流工作状态下仍然保持低损耗和高效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、充电桩等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体器件。
供应商: Anychip Mall
描述: AUIRFR1018E 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达80A的连续漏极电流(ID)，展示出卓越的电力处理性能。其导通电阻(RD(on))仅为6.5mΩ，确保在大电流工作状态下仍然保持低损耗和高效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、充电桩等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体器件。
IRFR1018EPBF-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: IRFR1018EPbF 是一款高效能N沟道MOSFET，封装采用紧凑而广泛应用的TO-252-2L样式，特别适合于空间有限及高密度电路板设计。此器件具有强大的性能参数，包括60V的最大漏源电压(VDSS)，以及高达80A的连续漏极电流(ID)，在保证高电流处理能力的同时，其优秀的导通电阻仅有6.5mΩ(RD(on))，确保了低功耗与高效率运作。广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源等领域，是您优化系统性能、提升能源利用率的理想选择。
供应商: Anychip Mall
描述: IRFR1018EPbF 是一款高效能N沟道MOSFET，封装采用紧凑而广泛应用的TO-252-2L样式，特别适合于空间有限及高密度电路板设计。此器件具有强大的性能参数，包括60V的最大漏源电压(VDSS)，以及高达80A的连续漏极电流(ID)，在保证高电流处理能力的同时，其优秀的导通电阻仅有6.5mΩ(RD(on))，确保了低功耗与高效率运作。广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源等领域，是您优化系统性能、提升能源利用率的理想选择。