HXY

IPD30N03S2L-10-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: IPD30N03S2L-10 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有出众的电气参数工作电压VDSS高达30V，连续电流ID最高可达60A，且拥有极低的导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流环境下也能保持高效能和低热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是提升系统能效、强化可靠性的不二之选。

HIRFZ44NPBF
供应商: Anychip Mall
描述: 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计紧凑，具备出色的电气性能。其最大漏源电流（ID）可达25安培，在10伏特下的导通电阻（RDSON）仅为12毫欧姆，有效降低了导通状态下的功耗。该器件的最大漏源电压（VDSS）为60伏特，能够承受较高电压的应用环境，同时，栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，提供了宽泛的操作范围。此MOSFET适用于各种电子设备中的电源管理与信号控制，如便携式电子产品、消费类电器等，是高性能电路设计的理想选择。

BSC0902NS-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: 这款高性能N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为大电流应用设计。额定电压30V，最大连续电流可达150A，尤其适用于电源转换、电池管理系统及高功率开关电路，具备卓越的导通性能与热稳定性，是现代紧凑型电子设备实现高效能功率控制的理想组件。

HSM24T1G
供应商: Anychip Mall
描述: 该ESD静电保护二极管为单向类型，具备两个通道，能在24V最大工作电压下提供稳定防护。其峰值脉冲电流可达7A，有效阻挡静电冲击。40皮法的低电容值设计确保了信号传递无损，特别适合于保护敏感电子电路，防止静电损害，保障设备稳定运行。

HAOZ8831ADI-05
供应商: LCSC

DMN6070SSD-HXY
供应商: LCSC

HAZ1123-04F
供应商: LCSC

HCEZ24V,L3F
供应商: Anychip Mall
描述: 这款单向ESD静电保护二极管，专为24V电压系统中的单信号线设计，能有效承受6A瞬时电流冲击，电容值仅25pF，确保了较高信号完整性的同时，为电子设备提供了高效静电防护，是高可靠性应用的理想选择。

HSM24B
供应商: Anychip Mall
描述: 该ESD静电保护二极管为双向型，配备双通道，耐压24V，即使遇到5A瞬时大电流冲击，也能确保电路安全无恙。其小巧的25pF电容值，让信号传递快速无损，是保护精密电路免受静电损伤的高效解决方案。

BSS209PW-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: BSS209PW 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-323封装，专为高集成度和节能电子应用设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载1.8A的连续漏极电流(ID)，其120mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在低功耗条件下仍能保持高效的电能转换。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电池管理系统等场景，是实现小型化、节能型电子设备的重要半导体元件。