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AUIRFR1018E 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达80A的连续漏极电流(ID)，展示出卓越的电力处理性能。其导通电阻(RD(on))仅为6.5mΩ，确保在大电流工作状态下仍然保持低损耗和高效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、充电桩等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体器件。