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IRFR1018EPbF 是一款高效能N沟道MOSFET，封装采用紧凑而广泛应用的TO-252-2L样式，特别适合于空间有限及高密度电路板设计。此器件具有强大的性能参数，包括60V的最大漏源电压(VDSS)，以及高达80A的连续漏极电流(ID)，在保证高电流处理能力的同时，其优秀的导通电阻仅有6.5mΩ(RD(on))，确保了低功耗与高效率运作。广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源等领域，是您优化系统性能、提升能源利用率的理想选择。