HXY

这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其连续电流（ID）为5安培，最大漏源电压（VDSS）为20伏特，适用于低压直流电路中的信号控制或电源管理。该器件具有45毫欧姆的导通电阻（RDON），在导通状态下的能量损耗较低，适合用于电子设备中的负载开关、电源路径管理和逻辑电平转换等应用场景，提供精确的电流调节与高效的电力传输特性。