达尔
None
商品列表
DMT10H017LPD-13
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 43.7（状态）A，54.7（稳定）A, 8引脚 PowerDI5060封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 43.7（状态）A，54.7（稳定）A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: PowerDI5060 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 30.3 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 78 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.1mm 最低工作温度: -55 °C 长度: 6mm 正向二极管电压: 1.3V 汽车标准: AEC-Q101 典型栅极电荷@Vgs: 28.6 nC @ 10V 最高工作温度: +175 °C 高度: 1.05mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 43.7（状态）A，54.7（稳定）A, 8引脚 PowerDI5060封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 43.7（状态）A，54.7（稳定）A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: PowerDI5060 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 30.3 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 78 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.1mm 最低工作温度: -55 °C 长度: 6mm 正向二极管电压: 1.3V 汽车标准: AEC-Q101 典型栅极电荷@Vgs: 28.6 nC @ 10V 最高工作温度: +175 °C 高度: 1.05mm
DMP2003UPS-13
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, P沟道, Vds=20 V, 120（状态）A，150（稳定）A, 8引脚 PowerDI5060封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 120（状态）A，150（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: PowerDI5060 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.4V 最小栅阈值电压: 0.5V 最大功率耗散: 80 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 177 nC @ 10V 高度: 1.05mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 5.1mm 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.1V 长度: 6mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, P沟道, Vds=20 V, 120（状态）A，150（稳定）A, 8引脚 PowerDI5060封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 120（状态）A，150（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: PowerDI5060 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.4V 最小栅阈值电压: 0.5V 最大功率耗散: 80 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 177 nC @ 10V 高度: 1.05mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 5.1mm 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.1V 长度: 6mm
AP7383-44W5-7
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 4.4 V输出, 150mA最大输出, SOT-25封装
输出电压: 4.4 V 最大电流时的降电压: 1.5V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-25 最大输出电流: 150mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.5 V 最大输入电压: 30 V 引脚数目: 5 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 1.8µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 宽度: 1.7mm 启用: 是 高度: 1.3mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 3.1mm 尺寸: 3.1 x 1.7 x 1.3mm 负荷调节: 0.5 V
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 4.4 V输出, 150mA最大输出, SOT-25封装
输出电压: 4.4 V 最大电流时的降电压: 1.5V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-25 最大输出电流: 150mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.5 V 最大输入电压: 30 V 引脚数目: 5 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 1.8µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 宽度: 1.7mm 启用: 是 高度: 1.3mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 3.1mm 尺寸: 3.1 x 1.7 x 1.3mm 负荷调节: 0.5 V
DMN2025UFDB-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 4.8（状态）A，6（稳定）A, 6引脚 U-DFN2020封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4.8（状态）A，6（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: U-DFN2020 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 31 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.5V 最大功率耗散: 1.4 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±10 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.07mm 最低工作温度: -55 °C 长度: 2.07mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 0.55mm 典型栅极电荷@Vgs: 12.3 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 4.8（状态）A，6（稳定）A, 6引脚 U-DFN2020封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4.8（状态）A，6（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: U-DFN2020 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 31 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.5V 最大功率耗散: 1.4 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±10 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.07mm 最低工作温度: -55 °C 长度: 2.07mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 0.55mm 典型栅极电荷@Vgs: 12.3 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V
DZ9F3V0S92-7
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 3V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 3V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 1000Ω 最大反向漏电流: 10µA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 正向电流: 10mA 典型电压温度系数: 0 (Maximum)mV/°C 高度: 0.37mm 最高工作温度: +150 °C 功率耗散: 200mW 正向电压: 0.9V 最低工作温度: -65 °C
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 3V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 3V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 1000Ω 最大反向漏电流: 10µA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 正向电流: 10mA 典型电压温度系数: 0 (Maximum)mV/°C 高度: 0.37mm 最高工作温度: +150 °C 功率耗散: 200mW 正向电压: 0.9V 最低工作温度: -65 °C
AP7384-33Y-13
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: 新产品DiodesZetex LDO 稳压器控制器, 3.3 V输出, 50mA最大输出, SOT-89封装
最大电流时的降电压: 500mV 输出电压: 3.3 V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-89 最大输出电流: 50mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 + Tab 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 高度: 1.6mm 宽度: 2.6mm 长度: 4.6mm 线路调节: 0.05 %/V 尺寸: 4.6 x 2.6 x 1.6mm 负荷调节: 0.5 V 启用: 是
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: 新产品DiodesZetex LDO 稳压器控制器, 3.3 V输出, 50mA最大输出, SOT-89封装
最大电流时的降电压: 500mV 输出电压: 3.3 V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-89 最大输出电流: 50mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 + Tab 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 高度: 1.6mm 宽度: 2.6mm 长度: 4.6mm 线路调节: 0.05 %/V 尺寸: 4.6 x 2.6 x 1.6mm 负荷调节: 0.5 V 启用: 是
DMP2045U-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 PMOS, MOSFET, Vds=20 V, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
通道类型: P 最大连续漏极电流: 3.5（状态）A，4.3（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 90 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.3V 最大功率耗散: 1.2 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±8 V 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 PMOS, MOSFET, Vds=20 V, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
通道类型: P 最大连续漏极电流: 3.5（状态）A，4.3（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 90 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.3V 最大功率耗散: 1.2 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±8 V 每片芯片元件数目: 1
DMP34M4SPS-13
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, P沟道, Vds=30 V, 17（状态）A，21（稳定）A, 8引脚 PowerDI5060封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 17（状态）A，21（稳定）A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: PowerDI5060 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 6 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.6V 最小栅阈值电压: 1.6V 最大功率耗散: 3 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±25 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.1mm 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 127 nC @ 10V 长度: 6mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 1.05mm 正向二极管电压: 1.2V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, P沟道, Vds=30 V, 17（状态）A，21（稳定）A, 8引脚 PowerDI5060封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 17（状态）A，21（稳定）A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: PowerDI5060 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 6 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.6V 最小栅阈值电压: 1.6V 最大功率耗散: 3 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±25 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.1mm 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 127 nC @ 10V 长度: 6mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 1.05mm 正向二极管电压: 1.2V
DMT10H072LFDF-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 3.2（状态）A，4（稳定）A, 6引脚 U-DFN2020封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.2（状态）A，4（稳定）A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: U-DFN2020 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 110 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 1.1 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 5.1 nC @ 10V 最低工作温度: -55 °C 高度: 0.58mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2.05mm 正向二极管电压: 1V 宽度: 2.05mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 3.2（状态）A，4（稳定）A, 6引脚 U-DFN2020封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.2（状态）A，4（稳定）A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: U-DFN2020 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 110 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 1.1 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 5.1 nC @ 10V 最低工作温度: -55 °C 高度: 0.58mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2.05mm 正向二极管电压: 1V 宽度: 2.05mm
D14V0H1U2LP1610-7
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: DiodesZetex TVS二极管 单向, 1120W, 23.5V, 2 引脚, U-DFN1610封装
二极管配置: 单路 方向类型: 单向 最大钳位电压: 23.5V 最小击穿电压: 15V 安装类型: 表面贴装 封装类型: U-DFN1610 最大反向待机电压: 14V 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 1120W 最大峰值脉冲电流: 50A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C 高度: 0.5mm 电容值: 320pF 宽度: 1.05mm 尺寸: 1.65 x 1.05 x 0.5mm 最大反向漏电流: 300nA 长度: 1.65mm
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: DiodesZetex TVS二极管 单向, 1120W, 23.5V, 2 引脚, U-DFN1610封装
二极管配置: 单路 方向类型: 单向 最大钳位电压: 23.5V 最小击穿电压: 15V 安装类型: 表面贴装 封装类型: U-DFN1610 最大反向待机电压: 14V 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 1120W 最大峰值脉冲电流: 50A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C 高度: 0.5mm 电容值: 320pF 宽度: 1.05mm 尺寸: 1.65 x 1.05 x 0.5mm 最大反向漏电流: 300nA 长度: 1.65mm