达尔
None
商品列表
DMN2058UW-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 3.7（状态）A，4.6（稳定）A, 3引脚 SOT-23封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.7（状态）A，4.6（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 91 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.2V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 1.13 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 3mm 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 7.7 nC @ 10 V 高度: 1mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 1.4mm 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 3.7（状态）A，4.6（稳定）A, 3引脚 SOT-23封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.7（状态）A，4.6（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 91 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.2V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 1.13 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 3mm 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 7.7 nC @ 10 V 高度: 1mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 1.4mm 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101
AP7381-33SA-7
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 3.3 V输出, 150mA最大输出, SOT-23封装
最大电流时的降电压: 1000mV 输出电压: 3.3 V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-23 最大输出电流: 150mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 线路调节: 0.05 %/V 长度: 3mm 高度: 1.1mm 启用: 是 宽度: 1.4mm 负荷调节: 0.5 V 尺寸: 3 x 1.4 x 1.1mm
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 3.3 V输出, 150mA最大输出, SOT-23封装
最大电流时的降电压: 1000mV 输出电压: 3.3 V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-23 最大输出电流: 150mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 线路调节: 0.05 %/V 长度: 3mm 高度: 1.1mm 启用: 是 宽度: 1.4mm 负荷调节: 0.5 V 尺寸: 3 x 1.4 x 1.1mm
74AHC05S14-13
供应商: RS
分类: 六反相器
描述: DiodesZetex 反相器 SOIC封装, 14引脚6表面贴装, 施密特触发器输入, 漏极开路输出否14.5 ns @ 50 pFAHC, 8mA最大输出
逻辑功能: 逆变器 输入类型: 施密特触发器 输出类型: 漏极开路 每片芯片元件数目: 6 施密特触发器输入: 否 最长传播延迟时间@最长CL: 14.5 ns @ 50 pF 最大低电平输出电流: 8mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 14 逻辑系列: AHC 尺寸: 8.74 x 3.99 x 1.48mm 高度: 1.48mm 长度: 8.74mm 宽度: 3.99mm 最小工作电源电压: 2 V 传输延迟测试条件: 50pF 最高工作温度: +125 °C 最大工作电源电压: 5.5 V 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 六反相器
描述: DiodesZetex 反相器 SOIC封装, 14引脚6表面贴装, 施密特触发器输入, 漏极开路输出否14.5 ns @ 50 pFAHC, 8mA最大输出
逻辑功能: 逆变器 输入类型: 施密特触发器 输出类型: 漏极开路 每片芯片元件数目: 6 施密特触发器输入: 否 最长传播延迟时间@最长CL: 14.5 ns @ 50 pF 最大低电平输出电流: 8mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 14 逻辑系列: AHC 尺寸: 8.74 x 3.99 x 1.48mm 高度: 1.48mm 长度: 8.74mm 宽度: 3.99mm 最小工作电源电压: 2 V 传输延迟测试条件: 50pF 最高工作温度: +125 °C 最大工作电源电压: 5.5 V 最低工作温度: -40 °C
AP7384-28V-A
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 2.8 V输出, 50mA最大输出, TO-92封装
输出电压: 2.8 V 最大电流时的降电压: 500mV 输出类型: 固定 封装类型: TO-92 最大输出电流: 50mA 安装类型: 通孔 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 输出数目: 1 极性: 正极 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 线路调节: 0.05 %/V 长度: 4.8mm 尺寸: 4.8 x 3.8 x 4.7mm 负荷调节: 0.5 V 启用: 是 宽度: 3.8mm 高度: 4.7mm
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 2.8 V输出, 50mA最大输出, TO-92封装
输出电压: 2.8 V 最大电流时的降电压: 500mV 输出类型: 固定 封装类型: TO-92 最大输出电流: 50mA 安装类型: 通孔 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 输出数目: 1 极性: 正极 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 线路调节: 0.05 %/V 长度: 4.8mm 尺寸: 4.8 x 3.8 x 4.7mm 负荷调节: 0.5 V 启用: 是 宽度: 3.8mm 高度: 4.7mm
AP7381-33V-A
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 3.3 V输出, 150mA最大输出, TO-92封装
输出电压: 3.3 V 最大电流时的降电压: 1000mV 输出类型: 固定 封装类型: TO-92 最大输出电流: 150mA 安装类型: 通孔 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 输出数目: 1 极性: 正极 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 高度: 4.7mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 4.8mm 尺寸: 4.8 x 3.8 x 4.7mm 启用: 是 宽度: 3.8mm 负荷调节: 0.5 V
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 3.3 V输出, 150mA最大输出, TO-92封装
输出电压: 3.3 V 最大电流时的降电压: 1000mV 输出类型: 固定 封装类型: TO-92 最大输出电流: 150mA 安装类型: 通孔 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 输出数目: 1 极性: 正极 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 高度: 4.7mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 4.8mm 尺寸: 4.8 x 3.8 x 4.7mm 启用: 是 宽度: 3.8mm 负荷调节: 0.5 V
74AHC14S14-13
供应商: RS
分类: 反相器
描述: DiodesZetex 反相器 SOIC封装, 14引脚6表面贴装, 施密特触发器输入, 推挽式输出是13.5 ns @ 50 pFAHC, 8mA最大输出
逻辑功能: 逆变器 输入类型: 施密特触发器 输出类型: 推挽式 每片芯片元件数目: 6 施密特触发器输入: 是 最长传播延迟时间@最长CL: 13.5 ns @ 50 pF 最大高电平输出电流: -8mA 最大低电平输出电流: 8mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 14 逻辑系列: AHC 尺寸: 8.74 x 3.99 x 1.48mm 高度: 1.48mm 传输延迟测试条件: 50pF 最小工作电源电压: 2 V 宽度: 3.99mm 最大工作电源电压: 5.5 V 长度: 8.74mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 反相器
描述: DiodesZetex 反相器 SOIC封装, 14引脚6表面贴装, 施密特触发器输入, 推挽式输出是13.5 ns @ 50 pFAHC, 8mA最大输出
逻辑功能: 逆变器 输入类型: 施密特触发器 输出类型: 推挽式 每片芯片元件数目: 6 施密特触发器输入: 是 最长传播延迟时间@最长CL: 13.5 ns @ 50 pF 最大高电平输出电流: -8mA 最大低电平输出电流: 8mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 14 逻辑系列: AHC 尺寸: 8.74 x 3.99 x 1.48mm 高度: 1.48mm 传输延迟测试条件: 50pF 最小工作电源电压: 2 V 宽度: 3.99mm 最大工作电源电压: 5.5 V 长度: 8.74mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40 °C
DMN2040LTS-13
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, 双, Si, Vds=20 V, 6.7 A, 8引脚 TSSOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.7 A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: TSSOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 36 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.2V 最大功率耗散: 890 mW 晶体管配置: 共漏极 最大栅源电压: -12 V、+12 V 每片芯片元件数目: 2 高度: 1.025mm 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 宽度: 3.1mm 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V 长度: 4.5mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, 双, Si, Vds=20 V, 6.7 A, 8引脚 TSSOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.7 A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: TSSOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 36 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.2V 最大功率耗散: 890 mW 晶体管配置: 共漏极 最大栅源电压: -12 V、+12 V 每片芯片元件数目: 2 高度: 1.025mm 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 宽度: 3.1mm 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V 长度: 4.5mm
BZX84C7V5-7-F
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 稳压二极管, 额定齐纳电压7.5V, 表面贴装, SOT-23封装
额定齐纳电压: 7.5V 二极管配置: 单路 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 350 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 通用 齐纳电压容差: 6% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 15Ω 最大反向漏电流: 1µA 尺寸: 3 x 1.4 x 1.1mm
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 稳压二极管, 额定齐纳电压7.5V, 表面贴装, SOT-23封装
额定齐纳电压: 7.5V 二极管配置: 单路 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 350 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 通用 齐纳电压容差: 6% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 15Ω 最大反向漏电流: 1µA 尺寸: 3 x 1.4 x 1.1mm
DMP2004VK-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex, 场效应管Mosfet, PMOS, SOT-563封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 350 mA 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-563 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 2 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 400 mW 晶体管配置: 隔离式 最大栅源电压: -8 V、+8 V 每片芯片元件数目: 2 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 长度: 1.7mm 宽度: 1.25mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex, 场效应管Mosfet, PMOS, SOT-563封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 350 mA 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-563 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 2 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 400 mW 晶体管配置: 隔离式 最大栅源电压: -8 V、+8 V 每片芯片元件数目: 2 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 长度: 1.7mm 宽度: 1.25mm
DMTH6016LK3-13
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=60 V, 33.2（状态）A，46.9（稳定）A, 3 + Tab引脚 TO-252 (DPAK)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 33.2（状态）A，46.9（稳定）A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TO-252 (DPAK) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 + Tab 最大漏源电阻值: 24 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 60 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 2.26mm 宽度: 6.2mm 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101 正向二极管电压: 1.2V 长度: 6.7mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 10V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=60 V, 33.2（状态）A，46.9（稳定）A, 3 + Tab引脚 TO-252 (DPAK)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 33.2（状态）A，46.9（稳定）A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TO-252 (DPAK) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 + Tab 最大漏源电阻值: 24 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 60 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 2.26mm 宽度: 6.2mm 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101 正向二极管电压: 1.2V 长度: 6.7mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 10V