DMT10H072LFDF-7
品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 3.2(状态)A,4(稳定)A, 6引脚 U-DFN2020封装
物料参数
通道类型: | N |
最大连续漏极电流: | 3.2(状态)A,4(稳定)A |
最大漏源电压: | 100 V |
封装类型: | U-DFN2020 |
安装类型: | 表面贴装 |
引脚数目: | 6 |
最大漏源电阻值: | 110 mΩ |
通道模式: | 增强 |
最大栅阈值电压: | 3V |
最小栅阈值电压: | 1V |
最大功率耗散: | 1.1 W |
晶体管配置: | 单 |
最大栅源电压: | ±20 V |
每片芯片元件数目: | 1 |
典型栅极电荷@Vgs: | 5.1 nC @ 10V |
最低工作温度: | -55 °C |
高度: | 0.58mm |
最高工作温度: | +150 °C |
长度: | 2.05mm |
正向二极管电压: | 1V |
宽度: | 2.05mm |