DMP2003UPS-13

品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
达尔 MOSFET, P沟道, Vds=20 V, 120(状态)A,150(稳定)A, 8引脚 PowerDI5060封装

物料参数

通道类型:P
最大连续漏极电流:120(状态)A,150(稳定)A
最大漏源电压:20 V
封装类型:PowerDI5060
安装类型:表面贴装
引脚数目:8
最大漏源电阻值:4 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:1.4V
最小栅阈值电压:0.5V
最大功率耗散:80 W
晶体管配置:
最大栅源电压:±12 V
每片芯片元件数目:1
典型栅极电荷@Vgs:177 nC @ 10V
高度:1.05mm
最高工作温度:+150 °C
宽度:5.1mm
最低工作温度:-55 °C
正向二极管电压:1.1V
长度:6mm