达尔
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DZ9F22S92-7
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 22V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 22V 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 100Ω 最大反向漏电流: 100nA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 功率耗散: 200mW 高度: 0.37mm 正向电流: 10mA 典型电压温度系数: 20 (Maximum)mV/°C 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -65 °C 正向电压: 0.9V
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 22V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 22V 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 100Ω 最大反向漏电流: 100nA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 功率耗散: 200mW 高度: 0.37mm 正向电流: 10mA 典型电压温度系数: 20 (Maximum)mV/°C 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -65 °C 正向电压: 0.9V
D5V0FS4U10LP-7
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 达尔 TVS二极管 单向, 350mW, 6V, 10 引脚, U-DFN2510封装
方向类型: 单向 二极管配置: 阵列 最大钳位电压: 6V 最小击穿电压: 5.5V 安装类型: 表面贴装 封装类型: U-DFN2510 引脚数目: 10 峰值脉冲功率耗散: 350mW 最大峰值脉冲电流: 3.5A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 4 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C 宽度: 1.07mm 高度: 0.55mm 长度: 2.57mm 电容值: 0.45pF 最大反向漏电流: 1µA 工作电压: 5V 尺寸: 2.57 x 1.07 x 0.55mm
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 达尔 TVS二极管 单向, 350mW, 6V, 10 引脚, U-DFN2510封装
方向类型: 单向 二极管配置: 阵列 最大钳位电压: 6V 最小击穿电压: 5.5V 安装类型: 表面贴装 封装类型: U-DFN2510 引脚数目: 10 峰值脉冲功率耗散: 350mW 最大峰值脉冲电流: 3.5A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 4 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C 宽度: 1.07mm 高度: 0.55mm 长度: 2.57mm 电容值: 0.45pF 最大反向漏电流: 1µA 工作电压: 5V 尺寸: 2.57 x 1.07 x 0.55mm
AP2204K-5.0TRG1
供应商: RS
分类: 调压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器, 5 V输出, 250mA最大输出, SOT-23封装
最大输出电流: 250mA 输出数目: 1 输出电压: 5 V 线路调节: 0.05 % 负荷调节: 0.5 % 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 参考电压: 1.26V 引脚数目: 5 输出类型: 固定 尺寸: 3.02 x 1.7 x 1.3mm 最低工作温度: -40 °C 最小输入电压: 2.3 V 最大输入电压: 24 V 高度: 1.3mm 最高工作温度: +85 °C
供应商: RS
分类: 调压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器, 5 V输出, 250mA最大输出, SOT-23封装
最大输出电流: 250mA 输出数目: 1 输出电压: 5 V 线路调节: 0.05 % 负荷调节: 0.5 % 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 参考电压: 1.26V 引脚数目: 5 输出类型: 固定 尺寸: 3.02 x 1.7 x 1.3mm 最低工作温度: -40 °C 最小输入电压: 2.3 V 最大输入电压: 24 V 高度: 1.3mm 最高工作温度: +85 °C
DMN6040SE-13
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=60 V, 5.5（状态）A，7.1（稳定）A, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.5（状态）A，7.1（稳定）A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-223 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 + Tab 最大漏源电阻值: 55 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 2 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.55mm 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101 典型栅极电荷@Vgs: 22.4 nC @ 10V 高度: 1.65mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 6.55mm 正向二极管电压: 1.2V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=60 V, 5.5（状态）A，7.1（稳定）A, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.5（状态）A，7.1（稳定）A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-223 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 + Tab 最大漏源电阻值: 55 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 2 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.55mm 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101 典型栅极电荷@Vgs: 22.4 nC @ 10V 高度: 1.65mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 6.55mm 正向二极管电压: 1.2V
GDZ9V1LP3-7
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: 达尔 1路路 稳压二极管, 9.1V ±5% 250 W, 2引脚 X 3 - DFN 0603封装
额定齐纳电压: 9.1V 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 W 封装类型: X 3 - DFN 0603 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大反向漏电流: 500nA 长度: 0.62mm 宽度: 0.32mm 尺寸: 0.62 x 0.32 x 0.28mm 高度: 0.28mm 汽车标准: AEC-Q101 最低工作温度: -55 °C 功率耗散: 250mW 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: 达尔 1路路 稳压二极管, 9.1V ±5% 250 W, 2引脚 X 3 - DFN 0603封装
额定齐纳电压: 9.1V 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 W 封装类型: X 3 - DFN 0603 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大反向漏电流: 500nA 长度: 0.62mm 宽度: 0.32mm 尺寸: 0.62 x 0.32 x 0.28mm 高度: 0.28mm 汽车标准: AEC-Q101 最低工作温度: -55 °C 功率耗散: 250mW 最高工作温度: +150 °C
AL5890-30P1-13
供应商: RS
分类: LED显示驱动器
描述: DiodesZetex LED驱动器, 最大电源电流 32 mA, 输出电压 400 V, 2引脚, PowerDI 123封装
电流精确度: 10% 最大电源电流: 32 mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: PowerDI 123 引脚数目: 2 典型工作电源电压: 400 V 尺寸: 3 x 1.93 x 1mm 高度: 1mm 长度: 3mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40°C 宽度: 1.93mm 输出电压: 400 V
供应商: RS
分类: LED显示驱动器
描述: DiodesZetex LED驱动器, 最大电源电流 32 mA, 输出电压 400 V, 2引脚, PowerDI 123封装
电流精确度: 10% 最大电源电流: 32 mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: PowerDI 123 引脚数目: 2 典型工作电源电压: 400 V 尺寸: 3 x 1.93 x 1mm 高度: 1mm 长度: 3mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40°C 宽度: 1.93mm 输出电压: 400 V
AZ23C11-7-F
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 稳压二极管, 额定齐纳电压11V, 表面贴装, SOT-23封装
额定齐纳电压: 11V 二极管配置: 共阳极 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 2 最大功率耗散: 300 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 通用 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 20Ω 最大反向漏电流: 100nA 尺寸: 3 x 1.4 x 1.1mm
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 稳压二极管, 额定齐纳电压11V, 表面贴装, SOT-23封装
额定齐纳电压: 11V 二极管配置: 共阳极 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 2 最大功率耗散: 300 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 通用 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 20Ω 最大反向漏电流: 100nA 尺寸: 3 x 1.4 x 1.1mm
D10V0H1U2LP-7B
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: DiodesZetex TVS二极管 单向, 300W, 20V, 2 引脚, X1-DFN1006封装
方向类型: 单向 二极管配置: 单路 最大钳位电压: 20V 最小击穿电压: 11.5V 安装类型: 表面贴装 封装类型: X1-DFN1006 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 300W 最大峰值脉冲电流: 15A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -65 °C 最高工作温度: +150 °C 工作电压: 10V 尺寸: 1.07 x 0.67 x 0.48mm 最大反向漏电流: 1µA 宽度: 0.67mm 高度: 0.48mm 长度: 1.07mm 电容值: 100pF
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: DiodesZetex TVS二极管 单向, 300W, 20V, 2 引脚, X1-DFN1006封装
方向类型: 单向 二极管配置: 单路 最大钳位电压: 20V 最小击穿电压: 11.5V 安装类型: 表面贴装 封装类型: X1-DFN1006 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 300W 最大峰值脉冲电流: 15A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -65 °C 最高工作温度: +150 °C 工作电压: 10V 尺寸: 1.07 x 0.67 x 0.48mm 最大反向漏电流: 1µA 宽度: 0.67mm 高度: 0.48mm 长度: 1.07mm 电容值: 100pF
AP7384-33SA-7
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 3.3 V输出, 50mA最大输出, SOT-23封装
最大电流时的降电压: 500mV 输出电压: 3.3 V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-23 最大输出电流: 50mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 高度: 1mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 3mm 负荷调节: 0.5 V 启用: 是 宽度: 1.4mm 尺寸: 3 x 1.4 x 1mm
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 3.3 V输出, 50mA最大输出, SOT-23封装
最大电流时的降电压: 500mV 输出电压: 3.3 V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-23 最大输出电流: 50mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 高度: 1mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 3mm 负荷调节: 0.5 V 启用: 是 宽度: 1.4mm 尺寸: 3 x 1.4 x 1mm
DMTH10H025SK3-13
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 32.7（状态）A，46.3（稳定）A, 3 + Tab引脚 TO-252 (DPAK)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 32.7（状态）A，46.3（稳定）A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-252 (DPAK) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 + Tab 最大漏源电阻值: 30 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 3.7 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.2mm 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.3V 最高工作温度: +175 °C 高度: 2.26mm 长度: 6.7mm 汽车标准: AEC-Q101 典型栅极电荷@Vgs: 21.4 nC @ 10V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 32.7（状态）A，46.3（稳定）A, 3 + Tab引脚 TO-252 (DPAK)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 32.7（状态）A，46.3（稳定）A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-252 (DPAK) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 + Tab 最大漏源电阻值: 30 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 3.7 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.2mm 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.3V 最高工作温度: +175 °C 高度: 2.26mm 长度: 6.7mm 汽车标准: AEC-Q101 典型栅极电荷@Vgs: 21.4 nC @ 10V