东芝
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HDTB310EK3AA
供应商: RS
分类: 移动硬盘
描述: Toshiba Canvio Basics 黑色 1 TB 便携式硬盘 HDTB310EK3AA, USB 3.0接口
型号: Canvio Basics 容量: 1 TB 电缆接口: USB 3.0 颜色: 黑色 尺寸: 119 x 79 x 15mm 重量: 230g 长度: 119mm 宽度: 79mm 高度: 15mm
供应商: RS
分类: 移动硬盘
描述: Toshiba Canvio Basics 黑色 1 TB 便携式硬盘 HDTB310EK3AA, USB 3.0接口
型号: Canvio Basics 容量: 1 TB 电缆接口: USB 3.0 颜色: 黑色 尺寸: 119 x 79 x 15mm 重量: 230g 长度: 119mm 宽度: 79mm 高度: 15mm
TC74VHC03FT(EL,K)
供应商: RS
分类: 逻辑门
描述: 东芝 1个 2输入 NAND 逻辑门, 漏极开路输出, 5.5μA, 14引脚 TSSOP封装
逻辑功能: NAND 安装类型: 表面贴装 元件数目: 1 每逻辑门 的输入端数量: 2 施密特触发器输入: 否 封装类型: TSSOP 引脚数目: 14 逻辑系列: VHC 输入类型: TTL 最大工作电源电压: 5.5 V 最长传播延迟时间@最长CL: 13 ns @ 50 pF 最小工作电源电压: 2 V 最大低电平输出电流: 5.5µA 宽度: 5.3mm 最低工作温度: -40 °C 输出类型: 漏极开路 传输延迟测试条件: 50pF 最高工作温度: +85 °C 尺寸: 10.3 x 5.3 x 1.9mm 高度: 1.9mm 长度: 10.3mm
供应商: RS
分类: 逻辑门
描述: 东芝 1个 2输入 NAND 逻辑门, 漏极开路输出, 5.5μA, 14引脚 TSSOP封装
逻辑功能: NAND 安装类型: 表面贴装 元件数目: 1 每逻辑门 的输入端数量: 2 施密特触发器输入: 否 封装类型: TSSOP 引脚数目: 14 逻辑系列: VHC 输入类型: TTL 最大工作电源电压: 5.5 V 最长传播延迟时间@最长CL: 13 ns @ 50 pF 最小工作电源电压: 2 V 最大低电平输出电流: 5.5µA 宽度: 5.3mm 最低工作温度: -40 °C 输出类型: 漏极开路 传输延迟测试条件: 50pF 最高工作温度: +85 °C 尺寸: 10.3 x 5.3 x 1.9mm 高度: 1.9mm 长度: 10.3mm
TK6P65W,RQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.8 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.05 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.1mm 晶体管材料: Si 长度: 6.6mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 高度: 2.3mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.8 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.05 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.1mm 晶体管材料: Si 长度: 6.6mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 高度: 2.3mm
TK34E10N1,S1X(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 75 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 75 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 9.5 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 103 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.45mm 晶体管材料: Si 长度: 10.16mm 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H 典型栅极电荷@Vgs: 38 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 15.1mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 75 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 75 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 9.5 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 103 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.45mm 晶体管材料: Si 长度: 10.16mm 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H 典型栅极电荷@Vgs: 38 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 高度: 15.1mm
TPN22006NH,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 21 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 21 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 64 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 18 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 3.1mm 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 12 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 21 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 21 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 64 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 18 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 3.1mm 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 12 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 晶体管材料: Si
TK28N65W5,S1F(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 27.6 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 27.6 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 130 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 230 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 5.02mm 高度: 20.95mm 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.94mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 90 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 27.6 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 27.6 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 130 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 230 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 系列: DTMOSIV 宽度: 5.02mm 高度: 20.95mm 正向二极管电压: 1.7V 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.94mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 90 nC @ 10 V
TLP759(LF2,J,F)
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 通孔安装安装, 直流输入, 8引脚 DIP 封装
安装类型: 通孔安装 输出设备: 光电晶体管 最大正向电压: 1.85V 通道数目: 1 针数目: 8 封装类型: DIP 输入电流类型: 直流 最大输入电流: 25 mA 隔离电压: 5000 V 交流 逻辑输出: 是 最大电流传输比: 40%
供应商: RS
分类: 光耦
描述: 东芝 光耦合器, 通孔安装安装, 直流输入, 8引脚 DIP 封装
安装类型: 通孔安装 输出设备: 光电晶体管 最大正向电压: 1.85V 通道数目: 1 针数目: 8 封装类型: DIP 输入电流类型: 直流 最大输入电流: 25 mA 隔离电压: 5000 V 交流 逻辑输出: 是 最大电流传输比: 40%
TP86R203NL,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 19 A, 8引脚 SOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 19 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 8.5 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 1.9 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 系列: U-MOSVIII-H 长度: 4.9mm 宽度: 3.9mm 高度: 1.52mm 典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 19 A, 8引脚 SOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 19 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 8.5 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 1.9 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 系列: U-MOSVIII-H 长度: 4.9mm 宽度: 3.9mm 高度: 1.52mm 典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 10 V