GT30J322(Q)
品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>IGBT绝缘栅双极型晶体管
描述
东芝 晶体管 - IGBT, Vce=600 V, 30 A, TO-3PNIS封装, 3引脚, 通孔安装
物料参数
| 最大连续集电极电流: | 30 A |
| 最大集电极-发射极电压: | 600 V |
| 最大栅极发射极电压: | ±20V |
| 封装类型: | TO-3PNIS |
| 安装类型: | 通孔 |
| 通道类型: | N |
| 引脚数目: | 3 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 尺寸: | 15.8 x 5 x 21mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |