TK6Q60W,S1VQ(S
品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 6.2 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 6.2 A |
| 最大漏源电压: | 600 V |
| 最大漏源电阻值: | 820 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 3.7V |
| 最小栅阈值电压: | 2.7V |
| 最大栅源电压: | -30 V、+30 V |
| 封装类型: | IPAK (TO-251) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 开关调节器 |
| 最大功率耗散: | 60 W |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 12 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 2.3mm |
| 典型接通延迟时间: | 40 ns |
| 高度: | 7.12mm |
| 系列: | DTMOSIV |
| 典型输入电容值@Vds: | 390 pF @ 300 V |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 晶体管材料: | Si |
| 长度: | 6.65mm |
| 尺寸: | 6.65 x 2.3 x 7.12mm |
| 典型关断延迟时间: | 55 ns |
| 正向二极管电压: | 1.7V |