TK31Z60X,S1F(O

品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
新产品东芝 MOSFET, N沟道, Vds=600 V, 30.8 A, 4引脚 TO-247封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:30.8 A
最大漏源电压:600 V
最大漏源电阻值:880 mΩ
最大栅阈值电压:3.5V
最小栅阈值电压:2.5V
最大栅源电压:±30 V
封装类型:TO-247
安装类型:通孔
引脚数目:4
晶体管配置:
通道模式:增强
类别:功率 MOSFET
最大功率耗散:230 W
正向二极管电压:1.7V
典型关断延迟时间:130 ns
最低工作温度:-55 °C
宽度:5mm
典型接通延迟时间:50 ns
每片芯片元件数目:1
尺寸:15.94 x 5 x 20.95mm
典型输入电容值@Vds:3000 pF @ 300 V
高度:20.95mm
典型栅极电荷@Vgs:65 nC @ 10 V
最高工作温度:+150 °C
长度:15.94mm