

TK31Z60X,S1F(O
品牌
东芝
供应商

分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
新产品东芝 MOSFET, N沟道, Vds=600 V, 30.8 A, 4引脚 TO-247封装
物料参数
通道类型: | N |
最大连续漏极电流: | 30.8 A |
最大漏源电压: | 600 V |
最大漏源电阻值: | 880 mΩ |
最大栅阈值电压: | 3.5V |
最小栅阈值电压: | 2.5V |
最大栅源电压: | ±30 V |
封装类型: | TO-247 |
安装类型: | 通孔 |
引脚数目: | 4 |
晶体管配置: | 单 |
通道模式: | 增强 |
类别: | 功率 MOSFET |
最大功率耗散: | 230 W |
正向二极管电压: | 1.7V |
典型关断延迟时间: | 130 ns |
最低工作温度: | -55 °C |
宽度: | 5mm |
典型接通延迟时间: | 50 ns |
每片芯片元件数目: | 1 |
尺寸: | 15.94 x 5 x 20.95mm |
典型输入电容值@Vds: | 3000 pF @ 300 V |
高度: | 20.95mm |
典型栅极电荷@Vgs: | 65 nC @ 10 V |
最高工作温度: | +150 °C |
长度: | 15.94mm |