东芝
None
商品列表
TP89R103NL,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 15 A, 8引脚 SOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 15 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 12.9 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 1.9 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 9.8 nC @ 10 V 长度: 4.9mm 高度: 1.52mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V 宽度: 3.9mm 系列: U-MOSVIII-H
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 15 A, 8引脚 SOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 15 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 12.9 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 1.9 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 9.8 nC @ 10 V 长度: 4.9mm 高度: 1.52mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V 宽度: 3.9mm 系列: U-MOSVIII-H
THN-M303R0640E2
供应商: RS
分类: TF卡
描述: 东芝 TF卡, 容量 64 GB, Class 10, UHS-3
卡片格式: MicroSD 容量: 64 GB 速度等级: Class 10, UHS-3 温度范围: -25 → +85°C
供应商: RS
分类: TF卡
描述: 东芝 TF卡, 容量 64 GB, Class 10, UHS-3
卡片格式: MicroSD 容量: 64 GB 速度等级: Class 10, UHS-3 温度范围: -25 → +85°C
TC74HC365AP(F)
供应商: RS
分类: 线路接口IC
描述: 东芝 缓冲器和线路驱动器, 6位, HC 系列, 非反相, 16引脚, PDIP封装, 缓冲器，线路驱动器单端, 最小工作电源电压 6 V, 最大高电平输出电流 -7.8mA, 最大低电平输出电流 7.8mA
逻辑系列: HC 逻辑功能: 缓冲器，线路驱动器 IC 类型: Buffer & Line Driver 每片芯片通道数目: 6 输入类型: 单端 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 通孔 封装类型: PDIP 引脚数目: 16 最大高电平输出电流: -7.8mA 最大低电平输出电流: 7.8mA 最长传播延迟时间@最长CL: 130 ns @ 2 V 尺寸: 19.25 x 6.4 x 3.5mm 最大工作电源电压: 6 V 最小工作电源电压: 2 V
供应商: RS
分类: 线路接口IC
描述: 东芝 缓冲器和线路驱动器, 6位, HC 系列, 非反相, 16引脚, PDIP封装, 缓冲器，线路驱动器单端, 最小工作电源电压 6 V, 最大高电平输出电流 -7.8mA, 最大低电平输出电流 7.8mA
逻辑系列: HC 逻辑功能: 缓冲器，线路驱动器 IC 类型: Buffer & Line Driver 每片芯片通道数目: 6 输入类型: 单端 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 通孔 封装类型: PDIP 引脚数目: 16 最大高电平输出电流: -7.8mA 最大低电平输出电流: 7.8mA 最长传播延迟时间@最长CL: 130 ns @ 2 V 尺寸: 19.25 x 6.4 x 3.5mm 最大工作电源电压: 6 V 最小工作电源电压: 2 V
TK7Q60W,S1VQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 7 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 600 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.7V 最小栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 60 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 高度: 7.12mm 系列: DTMOSIV 最高工作温度: +150 °C 宽度: 2.3mm 长度: 6.65mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 7 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 600 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.7V 最小栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 60 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 高度: 7.12mm 系列: DTMOSIV 最高工作温度: +150 °C 宽度: 2.3mm 长度: 6.65mm 晶体管材料: Si 正向二极管电压: 1.7V
TC74VHC4040FT(EL,K
供应商: RS
分类: 计数器移位寄存器
描述: 东芝计数器 计数器, 二进制 TSSOP封装, 16引脚 12位1表面贴装, 2 → 5.5 V电源
封装类型: TSSOP 逻辑功能: 计数器 阶段数目: 12 逻辑系列: CMOS 安装类型: 表面贴装 计数器类型: 二进制 元件数目: 1 引脚数目: 16 最小工作电源电压: 2 V 最大工作电源电压: 5.5 V 尺寸: 5.4 x 4.4 x 1mm 长度: 5.4mm 宽度: 4.4mm 方向类型: 单向 高度: 1mm 触发类型: 下降沿 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 计数器移位寄存器
描述: 东芝计数器 计数器, 二进制 TSSOP封装, 16引脚 12位1表面贴装, 2 → 5.5 V电源
封装类型: TSSOP 逻辑功能: 计数器 阶段数目: 12 逻辑系列: CMOS 安装类型: 表面贴装 计数器类型: 二进制 元件数目: 1 引脚数目: 16 最小工作电源电压: 2 V 最大工作电源电压: 5.5 V 尺寸: 5.4 x 4.4 x 1mm 长度: 5.4mm 宽度: 4.4mm 方向类型: 单向 高度: 1mm 触发类型: 下降沿 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C
TPN3300ANH,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 21 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 21 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 33 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 27 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 长度: 3.1mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 21 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 21 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 33 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 27 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 1.2V 系列: U-MOSVIII-H 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 长度: 3.1mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V
TK7P65W,RQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 6.8 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 800 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 2.3mm 宽度: 6.1mm 系列: DTMOSIV 长度: 6.6mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.7V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 6.8 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 6.8 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 800 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 2.3mm 宽度: 6.1mm 系列: DTMOSIV 长度: 6.6mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.7V
TPN30008NH,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=80 V, 22 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 22 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 30 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 27 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: U-MOSVIII-H 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 长度: 3.1mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=80 V, 22 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 22 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 30 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 27 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: U-MOSVIII-H 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 长度: 3.1mm
SSM3K15AFU,LF(T
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K15AFU,LF(T, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70 (USM)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 100 mA 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 3.6 Ω 最大栅阈值电压: 1.5V 最小栅阈值电压: 0.8V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: SC-70 (USM) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 150 mW 尺寸: 2 x 1.25 x 0.85mm 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.25mm 典型接通延迟时间: 5.5 ns 正向跨导: 35S 正向二极管电压: 1.2V 典型关断延迟时间: 35 ns 典型输入电容值@Vds: 13.5 pF @ 3 V 高度: 0.85mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K15AFU,LF(T, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70 (USM)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 100 mA 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 3.6 Ω 最大栅阈值电压: 1.5V 最小栅阈值电压: 0.8V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: SC-70 (USM) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 150 mW 尺寸: 2 x 1.25 x 0.85mm 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.25mm 典型接通延迟时间: 5.5 ns 正向跨导: 35S 正向二极管电压: 1.2V 典型关断延迟时间: 35 ns 典型输入电容值@Vds: 13.5 pF @ 3 V 高度: 0.85mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2mm
THNSNJ128GCSY
供应商: RS
分类: 硬盘
描述: 东芝 MLC SSD固态硬盘, 128 GB, SATA III 接口
型号: HG6z 内部/外部: 内部 工业: 是 形状系数: 2.5 in. 容量: 128 GB 接口: SATA III Nand 类型: MLC
供应商: RS
分类: 硬盘
描述: 东芝 MLC SSD固态硬盘, 128 GB, SATA III 接口
型号: HG6z 内部/外部: 内部 工业: 是 形状系数: 2.5 in. 容量: 128 GB 接口: SATA III Nand 类型: MLC